刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕

反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子。總的來(lái)說(shuō)，有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕工藝條件...

2018-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 7.2萬(wàn) 0

深度解讀TSV 的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)

要實(shí)現(xiàn)三維集成，需要用到幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)，如硅通孔（TSV），晶圓減薄處理，以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是三維...

2017-11-24 標(biāo)簽：tsv 硅通孔刻蝕 6.5萬(wàn) 2

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來(lái)形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.1萬(wàn) 0

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯...

2023-07-28 標(biāo)簽：集成電路蝕刻芯片封裝 1.0萬(wàn) 0

刻蝕分為哪兩種方式刻蝕的目的和原理

刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程，通過(guò)移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。

2023-08-01 標(biāo)簽：集成電路電子器件刻蝕 9645 0

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材...

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶硅刻蝕 7847 0

微流控芯片的發(fā)展及制造工藝介紹

微全分析系統(tǒng)的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz與Widmer提出的，當(dāng)時(shí)主要強(qiáng)調(diào)了分析系統(tǒng)的微與全，及微管道網(wǎng)絡(luò)的MEMS...

2018-09-05 標(biāo)簽：mems 光刻微流控芯片 7624 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 7383 0

等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

2024-04-12 標(biāo)簽：晶體管 CCP ICP 7059 0

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

在將晶圓制成半導(dǎo)體的過(guò)程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中，一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫(huà)精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 刻蝕 6751 0

刻蝕帖子

刻蝕資料下載

晶體硅太陽(yáng)能電池刻蝕的作用及方法與刻蝕的工藝流程等介紹立即下載

類別：電源技術(shù) 2017-09-29 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池刻蝕 1840 0

刻蝕資訊

濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的...

2022-11-11 標(biāo)簽：集成電路刻蝕 1.7萬(wàn) 0

半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇來(lái)臨，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還是需要全球合作

目前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料與設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率平均還不到20%，但經(jīng)過(guò)15~20多年的技術(shù)積累，以及企業(yè)和國(guó)家的大力投入，半導(dǎo)體材料與設(shè)備在2020年將會(huì)獲得實(shí)質(zhì)...

2020-05-28 標(biāo)簽：光刻機(jī)刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備 1.3萬(wàn) 0

干法刻蝕之鋁刻蝕的介紹，它的原理是怎樣的

在集成電路的制造過(guò)程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特...

2020-12-29 標(biāo)簽：集成電路刻蝕 1.1萬(wàn) 0

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要：簡(jiǎn)述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對(duì)SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來(lái)SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...

2020-12-30 標(biāo)簽：碳化硅刻蝕 1.0萬(wàn) 0

國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)很棒，但造芯片只是“配角”

近來(lái)有網(wǎng)絡(luò)媒體稱，“中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米芯片制程生產(chǎn)線”，并評(píng)論說(shuō)“中國(guó)芯片生產(chǎn)技術(shù)終于突破歐美封鎖...

2019-02-16 標(biāo)簽：芯片刻蝕 8226 0

干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）

干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。

2022-11-10 標(biāo)簽：等離子體刻蝕 7838 0

干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化...

2022-07-21 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕 7698 0

鈍化層刻蝕對(duì)厚鋁鋁須缺陷影響的研究

2018-03-06 標(biāo)簽：刻蝕集成電路制造 7208 0

半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam ResearchQ3營(yíng)收創(chuàng)紀(jì)錄三分之一營(yíng)收來(lái)自中國(guó)

4月21日，半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam Research發(fā)布2021第三季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收創(chuàng)下新高，達(dá)到38.5億美元，高于此前37.2億美元的預(yù)期，達(dá)到單季的最...

2021-04-22 標(biāo)簽：刻蝕營(yíng)收 Lam Research 6588 1

隨著MEMS研究的深入，電化學(xué)刻蝕研究顯得越來(lái)越重要

長(zhǎng)期以來(lái) ,微加工研究主要是針對(duì)微電子工業(yè)的應(yīng)用而開(kāi)展的 ,其加工對(duì)象大都是半導(dǎo)體材料 ,如對(duì) Si、Ge、GaAs 及各種金屬氧化物膜等材料的刻蝕 ,...

2020-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 6177 0

刻蝕數(shù)據(jù)手冊(cè)

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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