干法刻蝕去除光刻膠的技術
光刻膠在做完后續(xù)成形工藝之后，PR就不需要了，而且還要去除的很干凈，減少多后續(xù)工藝的影響。
去除光刻膠的方法主要有干法和濕法，濕法是主流，但是對于一些ICP或者離子注入工藝后發(fā)生“硬化”的光刻膠，濕法就會出現去膠不干凈的情況。
因此就有了干法刻蝕去除光刻膠的技術，從20世紀70年代末開始，干法工藝采用灰化Ashing來去除光刻膠。
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
在干法去除機中，等離子體由微波，射頻和UV臭氧源共同作用產生。
也有用CF4的。
工藝條件也和設備不同有關，一般處理10min~20分鐘，根據產品特性而定，
有時候也先用干法刻蝕去膠再用濕法去膠清洗。
但是有時候還是不能去除干凈，就只能用笨方法擦了，大家有什么好方法也可以互相交流。
審核編輯 ：李倩
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原文標題：如何去除光刻膠
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