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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

關(guān)于固態(tài)RF烹飪產(chǎn)品的最佳腔體設(shè)計(jì)方案的介紹

將固態(tài)RF功率器件用于烹飪產(chǎn)品需要考慮許多因素,比如腔體尺寸和形狀、功率饋入方式與位置、功率等級(jí)和散熱方式等。本次會(huì)議重點(diǎn)介紹實(shí)現(xiàn)最佳腔體的設(shè)計(jì)和仿真方法。

2018-06-28 標(biāo)簽:nxprf功率器件 3380 0

常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料

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功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件(power electronic device),通常是指用于控制大功率電路的電子器件(數(shù)十至數(shù)千安培的電流,數(shù)百伏以上的...

2023-06-09 標(biāo)簽:封裝IGBT功率器件 3374 0

切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)...

2023-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件晶片 3344 0

伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及開(kāi)發(fā)趨勢(shì)

值得關(guān)注的還有機(jī)械諧振抑制技術(shù)和多軸驅(qū)動(dòng)一體化技術(shù)的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能,而且均能提供四到五個(gè)不同諧振范圍的機(jī)械...

2023-02-15 標(biāo)簽:控制器半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 3335 0

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...

2024-09-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 3323 0

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

IGBT,全稱絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT),是一種功率開(kāi)關(guān)元件,綜合了電力晶體管(Gi...

2024-08-09 標(biāo)簽:IGBT焊接功率器件 3274 0

雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的架構(gòu)及搭建方案

雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...

2022-10-12 標(biāo)簽:功率器件脈沖測(cè)試 3273 0

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...

2021-05-26 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 3262 0

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅(SiC)材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC基功率器件帶來(lái)一系列優(yōu)勢(shì)。近年來(lái),隨著新能源汽車企業(yè)...

2023-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 3226 0

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 3201 1

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...

2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3201 0

mos管耐壓是如何測(cè)試

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件,其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測(cè)試的重要性 MOSFE...

2024-08-01 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 3187 0

IGBT模塊參數(shù)之NTC熱敏電阻

IGBT模塊參數(shù)之NTC熱敏電阻

IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...

2023-08-11 標(biāo)簽:熱敏電阻NTCIGBT 3110 0

扁線電機(jī)激光焊接工藝的8大應(yīng)用難點(diǎn)

在實(shí)際上生產(chǎn)中,扁線電機(jī)會(huì)比當(dāng)前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來(lái)看看,扁線電機(jī)定子生產(chǎn)過(guò)程中,當(dāng)下主流的6大核心工序!

2022-09-15 標(biāo)簽:功率器件扁線電機(jī) 3072 0

多晶硅的刻蝕機(jī)理介紹

多晶硅的刻蝕機(jī)理介紹

SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿,向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購(gòu)與技術(shù)交流平臺(tái)。

2023-12-25 標(biāo)簽:多晶硅MOSFET功率器件 3063 0

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

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雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOSFET雪崩擊穿功率器件 3062 0

MOS管燒毀的原因分析

今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。

2023-04-18 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管過(guò)電壓 3053 0

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器(SSR)是由微電子電路、分立電子器件和電力電子功率器件組成的非接觸式開(kāi)關(guān)。隔離裝置用于實(shí)現(xiàn)控制端與負(fù)載端之間的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端使用微...

2023-11-06 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 3050 0

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)ǎ枰贗GBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...

2024-10-15 標(biāo)簽:二極管IGBT晶體管 3048 0

什么叫功率二極管 和普通二極管區(qū)別在哪

功率二極管是一種半導(dǎo)體器件,它與普通二極管類似,但其能夠承受更大的功率和電流,因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子電路中。功率二極管通常用于轉(zhuǎn)換或控制高電壓、大...

2023-02-18 標(biāo)簽:二極管功率二極管功率器件 3033 0

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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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