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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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關(guān)于固態(tài)RF烹飪產(chǎn)品的最佳腔體設(shè)計(jì)方案的介紹
將固態(tài)RF功率器件用于烹飪產(chǎn)品需要考慮許多因素,比如腔體尺寸和形狀、功率饋入方式與位置、功率等級(jí)和散熱方式等。本次會(huì)議重點(diǎn)介紹實(shí)現(xiàn)最佳腔體的設(shè)計(jì)和仿真方法。
常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料
功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件(power electronic device),通常是指用于控制大功率電路的電子器件(數(shù)十至數(shù)千安培的電流,數(shù)百伏以上的...
切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)...
伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及開(kāi)發(fā)趨勢(shì)
值得關(guān)注的還有機(jī)械諧振抑制技術(shù)和多軸驅(qū)動(dòng)一體化技術(shù)的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能,而且均能提供四到五個(gè)不同諧振范圍的機(jī)械...
2023-02-15 標(biāo)簽:控制器半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 3335 0
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...
基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)
作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...
8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
碳化硅(SiC)材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC基功率器件帶來(lái)一系列優(yōu)勢(shì)。近年來(lái),隨著新能源汽車企業(yè)...
數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...
碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...
2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3201 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件,其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測(cè)試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 3187 0
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...
扁線電機(jī)激光焊接工藝的8大應(yīng)用難點(diǎn)
在實(shí)際上生產(chǎn)中,扁線電機(jī)會(huì)比當(dāng)前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來(lái)看看,扁線電機(jī)定子生產(chǎn)過(guò)程中,當(dāng)下主流的6大核心工序!
SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿,向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購(gòu)與技術(shù)交流平臺(tái)。
雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。
2023-04-18 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管過(guò)電壓 3053 0
固態(tài)繼電器(SSR)是由微電子電路、分立電子器件和電力電子功率器件組成的非接觸式開(kāi)關(guān)。隔離裝置用于實(shí)現(xiàn)控制端與負(fù)載端之間的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端使用微...
2023-11-06 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 3050 0
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)
因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)ǎ枰贗GBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...
功率二極管是一種半導(dǎo)體器件,它與普通二極管類似,但其能夠承受更大的功率和電流,因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子電路中。功率二極管通常用于轉(zhuǎn)換或控制高電壓、大...
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