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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎(chǔ)。
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功率元器件應(yīng)用秘訣,采用專用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
半導體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動,相電流監(jiān)測1
開關(guān)元器件的和嚴格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴格一致的,如果兩端有電壓,將導致直流電源短路,損壞橋臂...
關(guān)于固態(tài)射頻烹飪系統(tǒng)的方案介紹
固態(tài)RF功率器件可以實現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計師對尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會議將介紹恩智浦推出的一款可擴展功率模塊,它可快速的集...
關(guān)于開關(guān)電源技術(shù)技術(shù)關(guān)注點的十大闡述
開關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時刻關(guān)注的問題,不然一不留神就會跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)做了項開關(guān)電源技術(shù)發(fā)...
2013-05-27 標簽:電源開關(guān)電源功率器件 3785 1
用戶如果使用具有省電模式 (PSM) 的開關(guān)穩(wěn)壓器,則往往會擔心穩(wěn)壓器在輕負載時的工作情況,因為 PSM 會減少工作頻率、跳脈、提供脈沖群或出現(xiàn)這些情況...
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加,一般消耗電流在30~40mA,或者是MOS管工作有問題;電動機無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良,導致...
近年來,半導體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大。5G 時代的到來,對射頻器件所用半導體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...
功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性、工作原理及注意事項
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計一圈終端區(qū)浪費芯片的一部分面積呢
目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V,關(guān)斷時間已經(jīng)縮短到40ns,工作頻率可達40kHz,擎住現(xiàn)象得到改善,安全工作區(qū)(SOA)擴大...
2023-02-16 標簽:開關(guān)電源IGBT功率器件 3649 0
功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性及注意事項有哪些?
功率器件有源區(qū)含有PN結(jié),施加反向耐壓時,靠PN結(jié)承壓。實際平面工藝中,在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開窗口后進行雜質(zhì)注入推結(jié),制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)...
? ? ? ? ? 高集成度:從零部件到多合一,向集成化一體化整合 新能源汽車在輕量化、降成本和優(yōu)化空間布局等性能指標要求越來越高,電驅(qū)系統(tǒng)集成化產(chǎn)品成...
2023-05-26 標簽:轉(zhuǎn)換器功率器件電驅(qū)動 3600 0
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
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