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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業,最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場效應管的導通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...
越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統么?它到底為何能成為車企技術中的“香餑餑”?400V和800V的電動車在用車體驗上...
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應用前景和發展趨勢,以及如何通過技術創新和優化來滿足不同應用的需求。其中,英飛凌作為國際品牌的代表,其第四代產品已...
I D I_DID 為漏極電流的有效值,由于輸出波形是正弦波,所以漏極電流的峰值為漏極電流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內部由于結構原因產生的電容,這些電容會影響IGBT的...
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優異的介電擊穿場強(擊穿場)和帶隙...
功率二極管(Power Diode)是一種高電壓、高電流、大功率的二極管。與普通二極管相比,功率二極管具有承受更高電壓和電流的能力,通常被用于電源電路、...
隨著科技的不斷進步,電力電子設備在我們的日常生活和工業生產中發揮著越來越重要的作用。然而,隨著電力電子設備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發展,傳統...
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