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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能,相比于前兩代半導(dǎo)體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn),...

2023-06-28 標(biāo)簽:封裝功率器件SiC 1161 0

雙面散熱IGBT功率器件 | DOH 封裝工藝

雙面散熱IGBT功率器件 | DOH 封裝工藝

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...

2025-01-11 標(biāo)簽:封裝IGBT功率器件 1159 0

功率MOS管燒毀原因總結(jié)

MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。

2023-05-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管功率器件 1156 0

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1152 0

如何解決PCB散熱問題

通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材,還有少量使用的紙基覆銅板材。

2022-09-30 標(biāo)簽:pcb功率器件印制板 1149 0

PWM技術(shù)的電動(dòng)跑步機(jī)電源設(shè)計(jì)分析

PWM技術(shù)的電動(dòng)跑步機(jī)電源設(shè)計(jì)分析

近年來,隨著新型電力電子功率器件的不斷出現(xiàn),直流電機(jī)的控制方式發(fā)生了較大的變化。采用全控型的開關(guān)功率元件進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制(pulse width mod...

2024-02-15 標(biāo)簽:直流電機(jī)PWM功率器件 1147 0

AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性,能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車、光伏發(fā)...

2023-06-09 標(biāo)簽:汽車電子功率器件SiC 1147 0

基于英飛凌PRO-SILTM器件汽車配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

在低SAE自動(dòng)駕駛級(jí)別(例如,1-2級(jí))下,通常,僅需確保系統(tǒng)在組件失效的情況下,進(jìn)入安全狀態(tài)即可——這被稱為失效安全架構(gòu)。

2023-01-15 標(biāo)簽:繼電器網(wǎng)絡(luò)安全功率器件 1140 0

CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么

CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

2024-09-07 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 1137 0

IGBT熱管理解決方案

IGBT熱管理解決方案

自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...

2024-09-12 標(biāo)簽:IGBT功率器件熱管理 1134 0

SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標(biāo)簽:晶體管功率器件SiC 1127 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...

2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量功率半導(dǎo)體 1125 0

淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利,產(chǎn)品性能...

2023-06-01 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 1112 0

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)介紹

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)介紹

尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下,封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會(huì)影響載流子遷移率而降...

2023-09-25 標(biāo)簽:封裝電力系統(tǒng)功率器件 1105 0

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1099 0

SiC的物性和特征

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1094 0

碳化硅(SiC)功率器件探討:未來的能源解決方案

碳化硅(SiC)功率器件探討:未來的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝А⒏沙掷m(xù)能源解決方案的需求不斷增加,碳化硅(SiC)功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1091 0

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1091 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造電動(dòng)汽車(EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 1084 0

電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計(jì)投資10億美元

市場(chǎng)估計(jì)表明,SiC總潛在市場(chǎng)將從2022年的30億美元增長(zhǎng)到2030年的210億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為28%。 相干公司宣布,電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...

2023-10-12 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率器件電裝 1083 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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