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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能,相比于前兩代半導(dǎo)體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn),...
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫...
通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材,還有少量使用的紙基覆銅板材。
PWM技術(shù)的電動(dòng)跑步機(jī)電源設(shè)計(jì)分析
近年來,隨著新型電力電子功率器件的不斷出現(xiàn),直流電機(jī)的控制方式發(fā)生了較大的變化。采用全控型的開關(guān)功率元件進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制(pulse width mod...
SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性,能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車、光伏發(fā)...
基于英飛凌PRO-SILTM器件汽車配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
在低SAE自動(dòng)駕駛級(jí)別(例如,1-2級(jí))下,通常,僅需確保系統(tǒng)在組件失效的情況下,進(jìn)入安全狀態(tài)即可——這被稱為失效安全架構(gòu)。
2023-01-15 標(biāo)簽:繼電器網(wǎng)絡(luò)安全功率器件 1140 0
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量功率半導(dǎo)體 1125 0
淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利,產(chǎn)品性能...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)介紹
尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下,封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會(huì)影響載流子遷移率而降...
2023-09-25 標(biāo)簽:封裝電力系統(tǒng)功率器件 1105 0
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...
碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造電動(dòng)汽車(EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...
電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計(jì)投資10億美元
市場(chǎng)估計(jì)表明,SiC總潛在市場(chǎng)將從2022年的30億美元增長(zhǎng)到2030年的210億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為28%。 相干公司宣布,電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...
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