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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

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功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...

2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 813 0

新型功率器件真空回流焊焊接空洞的探析及解決方案

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隨著5G時代的到來,電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展,對于大功率器件的封裝,如IGBT、MOS、大功率LED等,也相應(yīng)地對焊接材料提出了更高...

2025-02-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體封裝回流焊 807 0

新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及制造技術(shù)

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  柵極電壓。上升過程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時,P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高;   漏極電壓下...

2023-10-08 標(biāo)簽:新能源汽車電阻功率器件 805 0

碳化硅二極管優(yōu)勢有哪些?

碳化硅二極管的優(yōu)勢   1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性   寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶 804 0

如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

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由于對提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中,高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...

2024-09-03 標(biāo)簽:芯片功率器件功率模塊 802 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨特的物理特性,如高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 801 0

功率半導(dǎo)體器件簡介1

功率半導(dǎo)體器件簡介1

簡介: 單個PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...

2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFETPN結(jié)功率器件 801 0

功率器件開關(guān)速度對傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識

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高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放,這種磁場是空間發(fā)散的,不受控集中時,會對空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾,應(yīng)盡量做小線路中分布電感。

2023-10-13 標(biāo)簽:電源電路電磁輻射emc 796 0

功率器件電鍍的原理和步驟

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在功率半導(dǎo)體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開這一關(guān)鍵工序。目前,我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板,...

2025-06-09 標(biāo)簽:晶圓電鍍功率器件 796 0

深度解析通用汽車奧特能無線電池管理系統(tǒng)及應(yīng)用框圖

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電池包還可根據(jù)軸距允許的電池外殼尺寸在每層裝入6塊到12塊不等的電池模組,使得車輛上裝載的總電池模組數(shù)量從最少6塊(6x1層),到多達(dá)24塊(12x2層...

2023-10-24 標(biāo)簽:輸出電壓電池管理系統(tǒng)功率器件 794 0

氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...

2023-09-11 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 790 0

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

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拿到一個ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問題沒找到答案。有...

2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET逆變器功率器件 790 0

功率MOSFET心得

功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 784 0

技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器

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UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...

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圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動技術(shù)有哪些?

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MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...

2023-06-01 標(biāo)簽:模擬電路MOSFET晶體管 777 0

芯片GPU功率器件低熱阻低滲油導(dǎo)熱硅脂

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導(dǎo)熱硅脂作為一種散熱材料,在電子設(shè)備和其他應(yīng)用中發(fā)揮著重要的作用。主要起到以下幾個方面的功能:1、傳導(dǎo)熱量:導(dǎo)熱硅脂是一種導(dǎo)熱材料,其主要作用是加強(qiáng)熱量...

2024-05-20 標(biāo)簽:芯片gpu功率器件 764 0

基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究

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近日,在西安·曲江國際會議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十七屆學(xué)術(shù)年會及展覽會(CPEEC & CPSSC 20...

2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 763 0

PCB需要解決什么問題 芯片需要解決什么問題

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PCB作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~,是電子產(chǎn)品最關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞直接決定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。

2023-08-31 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品pcb元器件 761 0

硅基氮化鎵用處

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,可有效縮小功率器件體積,提高功率器件效率,對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。

2023-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件硅基氮化鎵 759 0

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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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