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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管,以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗,搭配 PFC 和 LLC ...

2023-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 638 0

如何為功率器件、變換器測(cè)試挑選合適的探頭?

如何為功率器件、變換器測(cè)試挑選合適的探頭?

探頭與示波器被稱為工程師的眼睛,是工程師進(jìn)行電信號(hào)測(cè)量時(shí)必不可少的工具。探頭在功率領(lǐng)域的應(yīng)用是其發(fā)揮作用的重要方面,包括功率器件測(cè)試和變換器測(cè)試兩個(gè)方面。

2023-10-17 標(biāo)簽:變換器功率器件示波器探頭 637 0

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...

2023-05-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 633 0

微米級(jí)銅在高溫功率器件的應(yīng)用

微米級(jí)銅在高溫功率器件的應(yīng)用

功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用已擴(kuò)展到相當(dāng)多的行業(yè),如汽車,航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設(shè)備需要能夠適應(yīng)更高的使用溫度(>250°C),這大大增加了對(duì)設(shè)備材...

2024-03-18 標(biāo)簽:封裝功率器件CU 627 0

深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

本文采用的DTS(DieTopSystem)技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝,此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時(shí)造成的芯片損傷。

2024-03-18 標(biāo)簽:DTS功率器件SiC 623 0

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...

2024-11-15 標(biāo)簽:安森美功率器件GaN 620 0

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢(shì)

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度,使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻(1/100 于Si),導(dǎo)通損耗低;SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度,泄漏...

2023-12-20 標(biāo)簽:二極管功率器件氮化鎵 616 0

集成容性隔離助力高密度適配器設(shè)計(jì)

集成容性隔離助力高密度適配器設(shè)計(jì)

快充需求推動(dòng)了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中,花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂品桨覆挥?jì)其數(shù)。

2023-08-02 標(biāo)簽:MOSFET適配器功率器件 614 0

氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)

相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長(zhǎng)成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

2023-03-13 標(biāo)簽:功率二極管功率器件功率晶體管 611 0

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長(zhǎng)的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 610 0

浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...

2024-11-06 標(biāo)簽:IGBTMOS功率器件 610 0

功率器件模塊:一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

功率器件模塊:一種滿足EMI規(guī)范的捷徑

由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模,從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測(cè)和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。

2024-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體emi電磁干擾 595 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 595 0

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...

2025-03-01 標(biāo)簽:IGBT散熱功率器件 589 0

中國(guó)新能源汽車高壓控制器芯片白皮書

中國(guó)新能源汽車高壓控制器芯片白皮書

 我們的研究顯示,早期市場(chǎng)的發(fā)展多由政策推動(dòng),隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持,新能源汽車產(chǎn)品的性價(jià)比得到了極大的提升。“續(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗(yàn)”的雙...

2023-10-09 標(biāo)簽:新能源汽車控制器功率器件 589 0

SJMOS微逆變是什么?有哪些優(yōu)點(diǎn)?

“光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機(jī)不斷加劇,太陽(yáng)能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關(guān)注。在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,光伏逆變器的作用不...

2024-10-15 標(biāo)簽:太陽(yáng)能功率器件光伏逆變器 587 0

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

2023-11-23 標(biāo)簽:汽車電池功率器件 585 0

碳化硅為什么如此火爆呢

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 581 0

安森美封裝技術(shù)進(jìn)階,解鎖SiC性能上限

安森美封裝技術(shù)進(jìn)階,解鎖SiC性能上限

隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng),光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)...

2024-11-14 標(biāo)簽:充電器安森美封裝技術(shù) 579 0

開關(guān)電源如何抑制紋波噪聲

低頻紋波是與輸出電路的濾波電容容量相關(guān)。由于開關(guān)電源體積的限制,電解電容的容量不可能無限制地增加,導(dǎo)致輸出低頻紋波的殘留,該輸出紋波頻率隨整流電路方式的...

2023-03-29 標(biāo)簽:變壓器DCDC變換器功率器件 575 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    MMU
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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