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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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國產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案
國產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容MPPT方案取代2000V器件兩電平升壓方案 一、飛跨電容三電平技術(shù)的專利歸屬與特色 1. 專利歸屬:中國企業(yè)主導(dǎo)核心技術(shù)...
上海貝嶺亮相中國國際新能源汽車技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會
日前,中國國際新能源汽車技術(shù)、零部件及服務(wù)展覽會在首都國際會展中心(北京新國展二期)盛大開幕!本次展會為期4天,20000㎡展覽面積、20000+專業(yè)觀...
士蘭微廈門 8 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線(一期)封頂:力爭明年一季度投產(chǎn)
3 月 3 日消息,國內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子今日宣布,其投資 70 億元建設(shè)的廈門海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線(...
大規(guī)模AI部署的浪潮下,高算力服務(wù)器、數(shù)字基建等大型應(yīng)用需要大量千瓦級乃至兆瓦級的功率器件,而AI手機、AI PC等端側(cè)產(chǎn)品滲透率的提升,又對微型化的功...
龍騰半導(dǎo)體加速功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級
公司副總裁張欣女士表示,2025年隨著結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能的進一步釋放,公司預(yù)計全年產(chǎn)能同比增速有望突破300%,以滿足市場對高質(zhì)量半導(dǎo)體硅外延片的迫切需求。
隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮悠骷男枨笕找嬖黾印T谶@一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素。基本半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢,使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
2025年碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢,其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...
國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果
碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來...
華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品
引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM與H...
納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),...
2025-02-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件納微半導(dǎo)體 506 0
全球范圍內(nèi),綠色低碳的浪潮正以不可阻擋之勢席卷各個行業(yè)。其中,汽車行業(yè)所受影響尤為深遠。在這場電氣化轉(zhuǎn)型的洪流中,車載MOSFET作為汽車電子系統(tǒng)的核心...
深矽微:功率器件封裝項目即將投產(chǎn),預(yù)計年產(chǎn)值3億元
近日,巴中市發(fā)展和改革委員會發(fā)布消息稱,位于巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項目現(xiàn)場,搭建、焊接、調(diào)試等工序緊鑼密鼓地進行著。 據(jù)了...
近日,中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)...
2025-02-11 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 559 0
國產(chǎn)功率器件突圍戰(zhàn):仁懋電子TOLL封裝如何改寫行業(yè)格局?
在新能源汽車、光伏儲能等萬億級賽道爆發(fā)的當(dāng)下,國產(chǎn)功率器件的"卡脖子"困境正被打破。作為國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè),仁懋電子憑...
英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎,CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計以及卓越的...
來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素和重要保證。...
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 637 0
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