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標(biāo)簽 > 功率管

功率管

+關(guān)注3人關(guān)注

在放大電路中擔(dān)任末級(jí)輸出的管子叫功率管。功率管分為大功率管和小功率管。一般PCM(集電極耗損功率)大于1W的叫大功率管如國(guó)產(chǎn)的3DD和3DA型的和日產(chǎn)的2SD和2SC管子。

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功率管技術(shù)

開關(guān)電源中同步與非同步詳解

開關(guān)電源是通過(guò)功率管打開時(shí)給電感充電,電感儲(chǔ)能;功率管斷開時(shí),電感釋放能量,從而實(shí)現(xiàn)電壓變換。

2022-07-15 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率管同步整流 3347 0

晶豐明源BP87112+BP6211B 20W快充方案

隨著快充市場(chǎng)的飛速發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)加劇,對(duì)整體方案降本的要求更加嚴(yán)苛,為了更好地支持客戶提升競(jìng)爭(zhēng)力與優(yōu)化性價(jià)比,晶豐明源推出了契合市場(chǎng)需求、集成具有IGBT結(jié)...

2022-07-10 標(biāo)簽:IGBT功率管晶豐明源 3024 0

同步整流的開通和關(guān)斷機(jī)理

同步整流的開通和關(guān)斷機(jī)理

隨著能源的日益緊張,國(guó)家高度重視嚴(yán)格能效約束,推動(dòng)了各行各業(yè)的節(jié)能降碳。另外,隨著電源的能效標(biāo)準(zhǔn)(DoE Level VI和CoC Tier2)的頒布,...

2023-06-21 標(biāo)簽:MOSFET整流二極管功率管 2891 0

LLC峰值電流控制PWM發(fā)波的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

LLC峰值電流控制PWM發(fā)波的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

本文介紹基于 dsPIC33CH512MP508 實(shí)現(xiàn)的LLC峰值電流控制PWM發(fā)波邏輯,該發(fā)波邏輯充分利用了 dsPIC33C 系列MCU強(qiáng)大的PWM...

2023-07-22 標(biāo)簽:功率管同步整流器PWM波 2376 0

igbt功率管柵極和集電極并聯(lián)電容的作用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT柵極集電極 2247 0

igbt功率管型號(hào)參數(shù)意義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...

2024-08-08 標(biāo)簽:高電壓IGBT功率管 2043 0

igbt功率管發(fā)熱什么原因

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,IGBT功率管發(fā)熱是...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT雙極晶體管功率管 1975 0

紋波電壓測(cè)試方法介紹

紋波電壓測(cè)試方法介紹

紋波電壓的頻率等同于芯片開關(guān)頻率,為了防止探頭拾取到環(huán)境中的高頻噪聲,我們需要將示波器中測(cè)試紋波電壓的通 道帶寬限制在 20MHz。

2023-12-01 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率管紋波電壓 1964 0

同步整流和非同步整流到底有什么差別

開關(guān)電源是通過(guò)功率管打開時(shí)給電感充電,電感儲(chǔ)能;功率管斷開時(shí),電感釋放能量,從而實(shí)現(xiàn)電壓變換。開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間...

2023-03-06 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源功率管 1931 0

幾種優(yōu)化EM的有效措施

幾種優(yōu)化EM的有效措施

由于電遷移效應(yīng),金屬線可能會(huì)斷裂并短路。EM會(huì)增加導(dǎo)線電阻,這會(huì)導(dǎo)致電壓下降,從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路,它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。

2023-11-30 標(biāo)簽:電流MOS管電源模塊 1843 0

ldo功率管工作在什么區(qū)

線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種廣泛使用的電源管理器件,其主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過(guò)調(diào)整內(nèi)部功率管的導(dǎo)通程度來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)...

2024-07-14 標(biāo)簽:ldo電源管理器漏極 1842 0

igbt功率管好壞測(cè)量方法

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)功率管是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高效、高性能的功率電子器件。在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)IGBT功率管進(jìn)行好壞檢測(cè)是非常重要的,以確...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT電力電子雙極晶體管 1708 0

igbt功率管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別和聯(lián)系是什么

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們?cè)谠S多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用。盡管它們?cè)?..

2024-08-07 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT功率管 1516 0

開關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則

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開啟過(guò)程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS(off_end)...

2023-10-27 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1406 0

無(wú)刷直流電機(jī)控制器六個(gè)功率管如何控制120度和60度的?

無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制器中的六個(gè)功率管在控制120度和60度換相時(shí),扮演著至關(guān)重要的角色。這兩種控制方式主要區(qū)別在于換相時(shí)功率管的開關(guān)序列和時(shí)序,...

2024-09-03 標(biāo)簽:控制器IGBT功率管 1385 0

如何評(píng)估開關(guān)的通流能力?

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通用模擬開關(guān)廣泛用于掃地機(jī)器人、交換機(jī)、通訊基站等應(yīng)用中,主要用于信號(hào)切換,包含系統(tǒng)輸入信號(hào)的選擇、功率器件的控制信號(hào)切換和通訊接口的切換等。

2023-07-08 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)交換機(jī)功率管 1274 0

開關(guān)電源同步整流和非同步整流有什么區(qū)別?

開關(guān)電源同步整流和非同步整流有什么區(qū)別?

同步若在電路中續(xù)流回路中使用的也是 MOS 管(Q2),即上下管都是 MOS 管,因?yàn)?MOS 管本身是需要外控制的元器件,整流過(guò)程中必須根據(jù)電源的開關(guān)...

2024-01-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源BUCKMOS管 1127 0

igbt功率管寄生電容怎么測(cè)量大小

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會(huì)影響IGBT的...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率管 1058 0

開關(guān)電源MOS管損耗?

在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...

2023-04-12 標(biāo)簽:MOS管電源電路功率管 805 0

Saber軟件與電源變換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

Saber軟件與電源變換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

設(shè)計(jì)各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項(xiàng)指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...

2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 740 0

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