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標簽 > 半導體制造
半導體制造,是用于制造半導體器件的過程,通常是日常電氣和電子設備中使用的集成電路(IC)芯片中使用的金屬-氧化物-半導體(MOS)器件。
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任何低于90%的成品率都是有問題的。但芯片制造商只有通過反復吸取昂貴的教訓,在此基礎上不斷提高對芯片制造的認識,才能超越這個90%成品率的水平線。
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
臺積電將帶來全球第一個2D納米片晶體管,預計2024年實現量產
對與更先進的2nm制程,臺積電早在2019年就宣布對此研發。 去年,在5nm量產不久后,臺積電宣布2nm制程取得重大突破——切入環繞式柵極技術 (gat...
設備功能:將兩片晶圓互相結合,并使表面原子互相反應,產生共價鍵合,合二為一,是實現3D晶圓堆疊的重要設備。
硅錠生長是一個將多晶硅制成單晶硅的工序,將多晶硅加熱成液體后,精密控制熱環境,成長為高品質的單晶。
在后道制程階段,晶圓(正面已布好電路的硅片)在后續劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄(backthinning)加工以降低封裝貼裝高度,減小芯片封裝體...
清洗硅晶片,在其上形成諸如金屬或絕緣膜的薄膜,并且通過光刻形成用于電路圖案的抗蝕劑掩模。然后,通過干法蝕刻進行實際加工,去除并清洗不需要的抗蝕劑,并檢查...
半導體器件制作工藝分為前道和后道工序,晶圓制造和測試被稱為前道(Front End)工序,而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道(Back End)工...
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應室的溫度,...
清洗質量的好壞將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性,國內外各大公司、研究機構等對清洗工藝的研究從未停止,但一些特殊問題仍未得到徹底解決。
半導體制造在patterning的挑戰 OPC模型的基本原理
在半導體制造,是一個不斷向前快速發展推進的領域。我們通常聽到的從14nm技術到7 nm技術指的就是的工藝技術節點的進步。
據日經新聞報道,這次成立的公司由日本東京電氣(Tokyo Electro,全球半導體設備大廠)的前社長東哲郎等人主導, 吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NE...
從所處環節看,半導體檢測設備從設計驗證到最終測試均不可或缺,貫穿整個半導體制造過程,半導體集成度提升、小型化、產品門類增加以及需求量增大對檢測設備技術提...
美國國會授權被稱為芯片法案的計劃,美半導體領域地位或迎新機遇
計量學是我們應對半導體制造商所面臨挑戰的能力的基礎。進行投資今天計量能力的提高將為未來的技術需求提供保障,并支持美國在下一代微電子領域的領先地位。加快研...
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