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半導體的制造工序介紹 干法刻蝕設備溫度控制原理

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2022-10-10 10:12:153281

干法刻蝕和清洗(Dry Etch and Cleaning)

干法刻蝕工藝流程為,將刻蝕氣體注入真空反應室,待壓力穩定后,利用射頻輝光放電產生等離子體;受高速電子撞擊后分解產生自由基,并擴散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:193264

濕法刻蝕和清洗(Wet Etch and Cleaning)

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關鍵層清洗中依然發揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187251

電子封裝原理與技術 芯片制造的挑戰

目前制作硅通孔的主要手段有濕法刻蝕,激光加工和干法刻蝕(深反應離子刻蝕, DRIE )三種。
2022-12-07 11:26:20282

半導體設備分類

半導體設備可分為前道工藝設備(晶圓制造)和后道工藝設備(封裝測試)兩個大類。其中后道工藝設備還可以細分為封裝設備和測試設備。設備中的前道設備占據了整個市場的80%-85%,其中光刻機,刻蝕機和薄膜
2023-01-30 16:56:384468

濕法和干法刻蝕圖形化的刻蝕過程討論

刻蝕是移除晶圓表面材料,達到IC設計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748

ICP刻蝕氮化鎵基LED結構的研究

氮化鎵作為一種寬帶隙半導體,已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的 不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優越的等離子體均勻性和強可控性而備受關注
2023-02-22 15:45:410

半導體行業之刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922

劃片機:晶圓加工第四篇—刻蝕的兩種方法

刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后,就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種,取決于所使用的物質
2022-07-12 15:49:251454

BJCORE半導體劃片機設備——封裝的八道工序

半導體產品的制造過程主要包括前道晶圓制造和后道封裝測試,隨著先進封裝技術的浸透,呈現了介于晶圓制造和封裝之間的加工環節,稱為中道)。半導體產品的加工工序多,在制造過程中需求大量的半導體設備。在這里
2023-03-27 09:43:57485

半導體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此,氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量,它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束,蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563990

半導體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角),刻蝕工藝從濕法刻蝕轉為干法刻蝕,因此所需的設備和工藝更加復雜。由于積極采用3D單元堆疊方法,刻蝕工藝的核心性能指數出現波動,從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816

ALD是什么?半導體制造的基本流程

半導體制造過程中,每個半導體元件的產品都需要經過數百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術難點多,操作復雜。
2023-07-11 11:25:552902

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環刻蝕和淀積工藝,刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214

北方華創:12英寸CCP晶邊干法刻蝕設備已在客戶端實現量產

半導體工程裝備、北方華創的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心技術裝備,廣泛應用邏輯部件,存儲半導體零部件、先進封裝、第三代半導體照明、微機電系統、新型顯示、新能源,襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578

北方華創12英寸CCP晶邊干法刻蝕設備已在客戶端實現量產

9月17日,北方華創在投資者互動平臺表示,公司前期已經發布了首臺國產12英寸CCP晶邊干法刻蝕設備研發成功有關信息,目前已在客戶端實現量產,其優秀的工藝均勻性、穩定性贏得客戶高度評價。
2023-09-20 10:09:49559

干法刻蝕與濕法刻蝕各有什么利弊?

半導體制造中,刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕,這兩種技術各有優勢,也各有一定的局限性,理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003307

干法刻蝕的負載效應是怎么產生的?有什么危害?如何抑制呢?

有過深硅刻蝕的朋友經常會遇到這種情況:在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171454

工信部就干法刻蝕設備測試方法等行業標準公開征集意見

據工信部網站11月16日消息,工信部公開征集了《半導體設備 集成電路制造干法刻蝕設備測試方法》等196個行業標準、1個行業標準外文版、38個推薦性國家標準計劃項目的意見。
2023-11-16 17:04:49652

半導體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創建所需圖形

半導體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256

北方華創公開“刻蝕方法和半導體工藝設備”相關專利

該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370

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