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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重?fù)诫s的P+和N+層,與門極相連的重?fù)诫sP+層,此三層的厚度(在圖中體現(xiàn)為寬度)都較小,剩...
2018-05-23 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
2017-10-09 標(biāo)簽:連接器半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
固態(tài)繼電器是一種使用半導(dǎo)體器件和電子元件實(shí)現(xiàn)的電子繼電器,可以實(shí)現(xiàn)電氣信號(hào)的隔離和控制功能。相比于傳統(tǒng)的機(jī)械式繼電器,固態(tài)繼電器具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、壽...
2024-01-11 標(biāo)簽:電磁兼容電子元件固態(tài)繼電器 1.3萬 0
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
2019-10-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
雙向可控硅(TRIAC)是一種具有雙向整流特性的半導(dǎo)體器件。 一、雙向可控硅的基本結(jié)構(gòu) 雙向可控硅由五個(gè)層(NPNPN)的半導(dǎo)體材料形成,構(gòu)成四個(gè)PN結(jié)...
2024-07-15 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)電極雙向可控硅 1.2萬 0
國產(chǎn)車規(guī)級(jí)32位MCU的崛起之勢(shì)
車用MCU銷售額于2020年將逼近65億美元。面對(duì)如此龐大的汽車需求市場,在中美貿(mào)易摩擦態(tài)勢(shì)尚不明朗的當(dāng)下,對(duì)國產(chǎn)車規(guī)級(jí)MCU而言,如何在推進(jìn)國產(chǎn)化進(jìn)程...
2020-06-19 標(biāo)簽:mcu汽車電子半導(dǎo)體器件 1.2萬 1
發(fā)光二極管正負(fù)極接反會(huì)怎樣 發(fā)光二極管怎么接會(huì)亮
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種用于發(fā)光的半導(dǎo)體器件。正常情況下,正極連接到正電壓,負(fù)極連接到負(fù)電壓,才能使LED正...
2024-02-05 標(biāo)簽:發(fā)光二極管并聯(lián)電路半導(dǎo)體器件 1.2萬 0
在電子電路中,二極管作為一種基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件,以其獨(dú)特的單向?qū)щ娦栽谡鳌㈤_關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其中,負(fù)極接二極管,又稱穩(wěn)壓二...
2025-01-30 標(biāo)簽:二極管電子電路半導(dǎo)體器件 1.2萬 0
GaN-HEMT器件的動(dòng)態(tài)R DSon值測量實(shí)驗(yàn)分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來越流行[2],[3],但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電...
2021-03-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器測量電路GaN 1.1萬 0
SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 標(biāo)簽:sic半導(dǎo)體器件 1.1萬 1
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個(gè)金...
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種半導(dǎo)體器件,具有發(fā)出可見光的特性。相比傳統(tǒng)的光源,LED具有低能耗、高亮度、高效率和...
三極管作為開關(guān)使用時(shí),其基極-發(fā)射極間獲得正向偏置而進(jìn)入飽和區(qū),此時(shí)集電極電流達(dá)到飽和值,集電極與發(fā)射極間相當(dāng)于短路,電流可以經(jīng)過負(fù)載流通。相
半導(dǎo)體器件失效分析_半導(dǎo)體器件芯片焊接技巧及控制
本文首先介紹了芯片焊接(粘貼)技巧及機(jī)理,其次介紹了失效模式分析,最后介紹了焊接質(zhì)量的三種檢驗(yàn)技巧以及焊接不良原因及對(duì)應(yīng)措施,具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.0萬 0
在嵌入式軟件開發(fā)中,經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進(jìn)行GPIO口配置;如果你硬件知識(shí)一點(diǎn)都不懂,那么在開發(fā)中遇到問題,你就很難初步判定是硬件的問題,還是軟件配...
MOSFET知識(shí)點(diǎn)全集,初級(jí)工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMO...
2017-09-13 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.0萬 0
基本原理是:在金屬和N型硅片的接觸面上,用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢(shì)壘對(duì)電流進(jìn)行控制。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V...
2019-06-14 標(biāo)簽:肖特基二極管伏安特性半導(dǎo)體器件 1.0萬 0
IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 9880 0
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