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半導(dǎo)體器件

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半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。

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半導(dǎo)體器件技術(shù)

看懂光刻機(jī):光刻工藝流程詳解

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)...

2018-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件光刻機(jī)半導(dǎo)體芯片 16.8萬(wàn) 0

led電路圖符號(hào)的正反怎么看

不同的電路圖可以使用不同的符號(hào)和標(biāo)記方式來(lái)表示LED的正負(fù)極性。因此，在閱讀特定電路圖時(shí)，最好查閱相關(guān)的說(shuō)明文檔或標(biāo)注，以確保正確地理解LED的正反極性...

2023-09-26 標(biāo)簽：led 電路圖發(fā)光二極管 4.0萬(wàn) 0

電阻也會(huì)有靜電能力？電阻會(huì)被靜電打壞嗎？

以±8kV的人體模型為例：靜電放電時(shí)間在ns級(jí)別，具體參考圖1。而下圖2中電阻的脈沖功率給出的時(shí)間參數(shù)最小是1us（10-6），差別不是特別大，在此可近...

2018-09-10 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體器件 2.8萬(wàn) 0

三極管基礎(chǔ)知識(shí)全面解析！

如果我們將一個(gè)變化的小信號(hào)加到基極跟發(fā)射極之間，這就會(huì)引起基極電流Ib的變化，Ib的變化被放大后，導(dǎo)致了Ic很大的變化。如果集電極電流Ic是流過(guò)一個(gè)電阻...

2018-05-07 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體器件 2.8萬(wàn) 0

繼電器是什么？繼電器的作用與分類

在使用繼電器時(shí),由于實(shí)際電路的電壓或使用環(huán)境有可能會(huì)產(chǎn)生波動(dòng),導(dǎo)致施加到繼電器線圈兩端的電壓也可能會(huì)產(chǎn)生波動(dòng), 為了不影響繼電器的正常使用,則規(guī)定了繼電...

2019-04-18 標(biāo)簽：繼電器發(fā)光二極管半導(dǎo)體器件 2.5萬(wàn) 0

雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別有哪些

崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見(jiàn)的兩種擊穿現(xiàn)象，它們?cè)谖锢頇C(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。一、雪崩...

2023-12-30 標(biāo)簽：電壓雪崩擊穿半導(dǎo)體器件 2.4萬(wàn) 0

晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件是什么？如何去實(shí)現(xiàn)呢？

晶閘管導(dǎo)通條件：門(mén)極G加觸發(fā)信號(hào)，主端子A、K之間加正向電壓，且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。

2023-02-27 標(biāo)簽：晶閘管逆變器晶體管 2.2萬(wàn) 0

VCSEL的基本結(jié)構(gòu) VCSEL技術(shù)的優(yōu)勢(shì)

VCSEL是一種半導(dǎo)體器件，其激光垂直于頂面射出，與一般切開(kāi)式獨(dú)立芯片工藝，激光由邊緣射出的邊射型激光不同。

2022-06-09 標(biāo)簽：VCSEL 激光雷達(dá)半導(dǎo)體器件 2.0萬(wàn) 0

IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)集錦—電路精選（48）

GBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗...

2017-02-04 標(biāo)簽：IGBT 驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體器件 2.0萬(wàn) 0

逆變器的作用

太陽(yáng)電池組件的輸出是隨太陽(yáng)輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)電池組件自身溫度（芯片溫度）而變化的。另外由于太陽(yáng)電池組件具有電壓隨電流增大而下降的特性，因此存在能獲取最大功率...

2019-08-26 標(biāo)簽：逆變器交流電半導(dǎo)體器件 1.9萬(wàn) 0

小編科普一下三腳二極管的相關(guān)知識(shí)

三腳二極管，也稱為雙向可控硅（thyristor），是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，它具有三個(gè)引腳，分別為陽(yáng)極（A）、陰極（K）和控制極（G），通常用于交流電路...

2023-02-25 標(biāo)簽：二極管交流電路觸發(fā)電路 1.8萬(wàn) 0

PMOS晶體管工作原理 pmos晶體管的各個(gè)工作區(qū)域

PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)...

2023-02-11 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體器件 PMOS管 1.8萬(wàn) 0

三極管如何區(qū)分是硅管還是鍺管的呢？

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

2023-02-22 標(biāo)簽：三極管晶體管晶體三極管 1.7萬(wàn) 0

功率半導(dǎo)體器件的研究意義在哪里

本文首先介紹了功率半導(dǎo)體器件分類，其次介紹了大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展及國(guó)內(nèi)外功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展，最后介紹了功率半導(dǎo)體器件的研究意義。

2018-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件功率半導(dǎo)體器件 1.6萬(wàn) 0

三極管的三個(gè)工作區(qū)域

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶...

2023-03-31 標(biāo)簽：三極管晶體管電子電路 1.6萬(wàn) 0

如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志

本文首先介紹了美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法，其次介紹了如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志，具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。

2018-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.5萬(wàn) 0

變?nèi)荻O管有沒(méi)有正負(fù)極_如何判斷變?nèi)荻O管正負(fù)極

變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量...

2018-01-25 標(biāo)簽：二極管變?nèi)荻O管半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0

MOSFET和IGBT之間的有哪些異同點(diǎn)

然而，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師們都會(huì)遇到一個(gè)相同的困惑：器件的選型著實(shí)令人頭疼。對(duì)此，小編感同身受。今天，我們就一起來(lái)看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...

2022-01-01 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0

igbt和mos管怎么區(qū)分 igbt和mos管能互換嗎

igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，用途廣泛，在各種電子設(shè)備中都會(huì)使用。雖然它們有一些相似之處，但也存在一些顯著的...

2023-12-19 標(biāo)簽：MOS管電子設(shè)備 IGBT 1.4萬(wàn) 0

1n5408是什么二極管怎么測(cè)量

1N5408是一種常見(jiàn)的整流二極管，廣泛應(yīng)用于電源整流、信號(hào)整流、穩(wěn)壓電路等領(lǐng)域。一、1N5408二極管的基本知識(shí) 定義：1N5408是一種硅整流二極...

2024-07-24 標(biāo)簽：二極管大電流半導(dǎo)體器件 1.3萬(wàn) 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。

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