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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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在電子工程的世界里,柵極是個(gè)魔法般的存在,它就像電路的指揮官,靠著一個(gè)個(gè)小小的動(dòng)作就能控制電荷的流動(dòng),讓整個(gè)電子系統(tǒng)跳動(dòng)起來
2024-03-14 標(biāo)簽:柵極電荷半導(dǎo)體器件 1039 0
碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能,在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,SiCMOSFET在研...
2025-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 1036 0
晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑
液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過在熔融純硅中加入助溶劑,提高其對(duì)碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融硅中
2024-02-20 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1035 0
2024-07-24 標(biāo)簽:二極管電子電路半導(dǎo)體器件 1031 0
在TAB和FCB中也存在WB中的部分失效問題,同時(shí)也有它們自身的特殊問題,如由于芯片凸點(diǎn)的高度-致性差,群焊時(shí)凸點(diǎn)形變不一-致,從面造成各焊點(diǎn)的 鍵合...
2022-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件IC芯片 1017 0
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管主要由源極(Source...
2024-08-02 標(biāo)簽:電流場(chǎng)效應(yīng)管輸入電壓 997 0
半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)跟蹤報(bào)告:ALD技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積工藝優(yōu)勢(shì)
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。 半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術(shù)憑借沉積薄...
2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件晶圓制造 996 0
負(fù)載管的閃爍噪聲和熱噪聲是兩種不同的噪聲類型,它們?cè)陔娮釉O(shè)備中的表現(xiàn)和影響各有特點(diǎn)。 閃爍噪聲(1/f噪聲) 定義 : 閃爍噪聲,也稱為1/f噪聲或粉紅...
2024-10-10 標(biāo)簽:電子設(shè)備負(fù)載管半導(dǎo)體器件 990 0
選擇電力二極管器件額定電流的原則是一個(gè)涉及電子工程和電力電子領(lǐng)域的復(fù)雜話題。 電力二極管的工作原理 電力二極管是一種半導(dǎo)體器件,它允許電流在一個(gè)方向上流...
2024-09-13 標(biāo)簽:二極管電子設(shè)備半導(dǎo)體器件 990 0
可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦裕梢宰鳛榇箅娏鏖_關(guān)使用。 可控硅的工作原理...
2024-07-31 標(biāo)簽:可控硅半導(dǎo)體器件導(dǎo)電性 982 0
3D亞納米時(shí)代,CMOS邏輯電路如何發(fā)展?
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲(chǔ)器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會(huì)增加硅...
說起“Diamond”給人第一印象是什么? 無疑是高貴優(yōu)雅,晶瑩剔透,尤其對(duì)于女性來說鉆石是充滿誘惑的,正如1948年戴比爾斯經(jīng)典廣告所宣傳“Th...
2023-02-02 標(biāo)簽:金剛石半導(dǎo)體器件寬禁帶 979 0
功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評(píng)估:功率循環(huán)測(cè)試研究
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng),包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及...
2024-12-06 標(biāo)簽:測(cè)試功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 978 0
半導(dǎo)體靶材:推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)飛躍的核心力量
半導(dǎo)體靶材是半導(dǎo)體材料制備過程中的重要原料,它們?cè)诒∧こ练e、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等多種技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件 978 0
穩(wěn)壓3極管各引腳測(cè)試的數(shù)字一樣嗎
不一樣。穩(wěn)壓3極管,也稱為穩(wěn)壓二極管或齊納二極管,是一種特殊的半導(dǎo)體器件,用于維持電壓穩(wěn)定。它具有三個(gè)引腳:陽極(Anode)、陰極(Cathode)和...
2024-07-12 標(biāo)簽:二極管引腳半導(dǎo)體器件 963 0
超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)管的分類及其原理分析
超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)管(Superconducting Field Effect Transistor,SFET)是一種新型的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了超導(dǎo)電性和晶體管...
2024-03-06 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 962 0
TI優(yōu)化用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序等負(fù)載開關(guān)封裝技術(shù)
從智能手機(jī)到汽車,消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開關(guān))的...
2022-04-27 標(biāo)簽:ti封裝半導(dǎo)體器件 961 0
靜電保護(hù)二極管(Electrostatic Discharge, ESD)是一種特殊的半導(dǎo)體器件,主要用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電(ESD)的損害。ES...
“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2023-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件 956 0
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