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淺談芯片互連技術 芯片互連方法的比較

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芯片制造的高互連線間距問題

IBM 和三星開發了一種釕和氣隙集成方案,解決了一個迫在眉睫的高互連線間距問題。
2023-04-25 11:15:011211

芯片三維互連技術及異質集成研究進展

異質集成技術開發與整合的關鍵在于融合實現多尺度、多維度的芯片互連,通過 三維互連技術配合,將不同功能的芯粒異質集成到一個封裝體中,從而提高帶寬和電源效率并減小 延遲,為高性能計算、人工智能和智慧終端
2023-04-26 10:06:07519

降低PCB互連設計RF效應小竅門

本文將介紹電路板系統的芯片到電路板、PCB板內互連以及PCB與外部器件之間的三類互連設計的各種技巧,包括器件安裝、布線的隔離以及減少引線電感的措施等,以幫助設計師降低PCB互連設計中的RF效應。
2023-04-30 15:53:00624

高密度互連印刷電路板如何實現高密度互連HDIne ?

高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規過孔。
2023-06-01 16:43:58524

高壓連接線互連層次

芯片互連是指芯片內部的互連,它是高壓連接線互連的最基本層次。在芯片內部,各個元件之間需要用微細的金屬線進行連接,以實現芯片內部的數據傳輸和信號傳遞。芯片互連的特點是連接距離短、傳輸速度高、功耗低等。
2023-07-22 17:33:20545

具有銅互連的IC芯片設計

互連是一種比較新的技術。在經過深入的研究和開發后,具有銅互連的IC芯片產品第一次在1999年出現。
2023-08-18 09:41:56652

后摩爾時代芯片互連新材料及工藝革新

后摩爾時代芯片互連新材料及工藝革新
2023-08-25 10:33:37499

基于HFSS的3D多芯片互連封裝MMIC仿真設計

相對于傳統平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應用,三維(3D)多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優勢,正逐步在先進電路與系統中得到應用。而3D封裝引入的復雜電磁耦合效應,在傳統
2023-08-30 10:02:071408

芯片金屬互連中電鍍添加劑的理論與實驗研究

現如今, 隨著高端芯片中集成度越來越高(臺積電已試產2 nm芯片), 金屬布線也越來越密. 不斷減小的互連線寬會降低芯片的性能和良率. 電沉積技術是實現金屬互連的關鍵技術. 然而在電沉積過程中, 由于受尖端效應和微納孔內傳質的限制, 溝槽開口處金屬沉積過快
2023-10-31 16:54:23437

互連/接觸/通孔/填充分別代表了什么

芯片制程中,互連、接觸、通孔和填充是常見術語,這四個術語代表了金屬化中不同的連接方式。那么互連、接觸、通孔和填充塞分別代表了什么?有什么作用呢?
2023-11-06 15:19:06563

什么是銅互連?為什么銅互連非要用雙大馬士革工藝?

芯片制程中,很多金屬都能用等離子的方法進行刻蝕,例如金屬Al,W等。但是唯獨沒有聽說過干法刻銅工藝,聽的最多的銅互連工藝要數雙大馬士革工藝,為什么?
2023-11-14 18:25:332644

降低PCB互連設計RF效應小技巧分享

電路板系統的互連包括:芯片到電路板、PCB板內互連以及PCB與外部器件之間的三類互連。在RF設計中,互連點處的電磁特性是工程設計面臨的主要問題之一,本文介紹上述三類互連設計的各種技巧,內容涉及器件安裝方法、布線的隔離以及減少引線電感的措施等等。
2023-11-16 17:38:2396

互連在先進封裝中的重要性

互連技術是封裝的關鍵和必要部分。芯片通過封裝互連,以接收功率、交換信號并最終進行操作。由于半導體產品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同,互連方法也在不斷變化和發展。
2023-11-23 15:13:58181

芯礪智能Chiplet Die-to-Die互連IP芯片成功回片

芯礪智能近日宣布,其全自研的Chiplet Die-to-Die互連IP(CL-Link)芯片一次性流片成功并順利點亮。這一重大突破標志著芯礪智能在異構集成芯片領域取得了領先地位,為人工智能時代的算力基礎設施建設提供了更加多元靈活的互連解決方案。
2024-01-18 16:03:32458

晶圓到晶圓混合鍵合:將互連間距突破400納米

來源:IMEC Cu/SiCN鍵合技術的創新是由邏輯存儲器堆疊需求驅動的 晶圓到晶圓混合鍵合的前景 3D集成是實現多芯片異構集成解決方案的關鍵技術,是業界對系統級更高功耗、性能、面積和成本收益需求
2024-02-21 11:35:29165

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