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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會(huì)降低氮化鎵高...
功率放大電路與電流放大電路是電子技術(shù)中兩種常見(jiàn)的放大電路。它們?cè)诠δ堋⒃怼?yīng)用等方面都存在一定的差異。 功率放大電路的定義和特點(diǎn) 功率放大電路是一種能...
當(dāng)今市場(chǎng)上有許多晶體管選擇,它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此,縮小哪一個(gè)最適合特定設(shè)計(jì)的范圍可能會(huì)令人困惑。在這些選擇中,GaN晶體管是,但...
LDO穩(wěn)壓器,全稱(chēng)Low Dropout Linear Regulator(低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器),是一種將較高電壓轉(zhuǎn)換為較低電壓并提供穩(wěn)定輸出的電子元件。...
2024-09-11 標(biāo)簽:電源晶體管LDO穩(wěn)壓器 1140 0
摩爾定律究竟所言何物?它何以如此成功?它是否論證了不可阻擋的科技發(fā)展趨勢(shì)?或者,它是否只是反映了工程學(xué)歷史上的一段獨(dú)特時(shí)期?正是在這段時(shí)間里,憑借硅晶的...
電力電子元件可提高所有行業(yè)和應(yīng)用中電機(jī)和馬達(dá)的能源效率。這些電力電子元件越來(lái)越多地被更密集地封裝在一起,靠近或放置在電機(jī)本身附近或上面,因此受到應(yīng)用中的...
一般來(lái)說(shuō),系統(tǒng)總是由多個(gè)子系統(tǒng)組成,而子系統(tǒng)又是由更小的子系統(tǒng)組成,直到細(xì)分到電阻器、電容器、電感、晶體管、集成電路、機(jī)械零件等小元件的復(fù)雜組合,其中任...
2023-03-27 標(biāo)簽:電容器電阻器計(jì)算機(jī) 1138 0
甲類(lèi)功放電路(Class A amplifier)是一種功率放大器的設(shè)計(jì),其中晶體管或電子管在其整個(gè)信號(hào)周期內(nèi)都導(dǎo)通,從而實(shí)現(xiàn)線(xiàn)性放大。盡管甲類(lèi)功放電路...
2024-10-09 標(biāo)簽:電流甲類(lèi)功放電路晶體管 1135 0
GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而,它們?cè)诓牧?..
這是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的 FM 接收器,僅基于一個(gè)晶體管構(gòu)建。沒(méi)有芯片或其他有源組件。輸出連接到耳機(jī),如果你想用揚(yáng)聲器收聽(tīng)收音機(jī),你需要一個(gè)放大器電路。
解讀用于毫米波的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體技術(shù)
運(yùn)行在很高頻率下的電子器件所表現(xiàn)的性能主要與:1)組成半導(dǎo)體的材料特性和2)器件的結(jié)構(gòu)有關(guān)[3]。Si,GaAs 和InP 是目前具有截止頻率在300G...
EEPROM存儲(chǔ)功能的實(shí)現(xiàn)方式
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)的存儲(chǔ)功能...
學(xué)會(huì)這個(gè)電路分析 你的模電還可以提升一個(gè)臺(tái)階
網(wǎng)上看到這個(gè)電路,據(jù)說(shuō)刷掉一大部分面試者,一起來(lái)分析一下吧。 ? ? 電路圖 有兩個(gè)晶體管(transistor),一個(gè)NPN和一個(gè)PNP,連接方式下圖...
使用雙極晶體管的電子電路設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單,使用簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)原理和一些方程。
2023-02-17 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管雙極晶體管 1130 0
基于A(yíng)lN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展
近期,美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在A(yíng)lN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...
2023-05-25 標(biāo)簽:充電器晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1130 0
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