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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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熱力學(xué)中常犯的一個(gè)錯(cuò)誤就是選擇和線性穩(wěn)壓器一樣簡(jiǎn)易的裝置。當(dāng)設(shè)計(jì)即將應(yīng)用時(shí),設(shè)計(jì)師通常會(huì)意識(shí)到這個(gè)錯(cuò)誤。更糟的是,由于新型線性穩(wěn)壓器的新功能和規(guī)格,封裝...
2016-03-21 標(biāo)簽:電源管理線性穩(wěn)壓器晶體管 1079 0
在更小、更輕、更薄的消費(fèi)產(chǎn)品趨勢(shì)的推動(dòng)下,越來(lái)越小的封裝類型已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)。事實(shí)上,封裝已經(jīng)成為在新設(shè)計(jì)中使用或放棄設(shè)備的關(guān)鍵決定因素。本文首先定義了“倒...
晶體管的極性,是一個(gè)在電子學(xué)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)且重要意義的概念。為了全面闡述晶體管的極性,我們需要從其定義、分類、工作原理、極性的具體表現(xiàn)以及在實(shí)際應(yīng)用中的意...
關(guān)于射頻學(xué)習(xí)的問(wèn)題總結(jié)
請(qǐng)問(wèn)一下,你們遇到過(guò)開(kāi)著HB仿真和關(guān)著HB仿真,兩者小信號(hào)有區(qū)別的情況嗎?增益會(huì)掉兩個(gè)dB,回?fù)芤猜杂胁煌?/p>
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱JFET)是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其特點(diǎn)在于通過(guò)...
達(dá)林頓模塊(Darlington Module)是一種常用的功率放大模塊,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子、通信等領(lǐng)域。達(dá)林頓模塊具有高輸入阻抗、高輸出阻抗...
2024-07-15 標(biāo)簽:模塊驅(qū)動(dòng)晶體管 1077 0
許多教材和參考指南將 運(yùn)算放大器 (運(yùn)放)定義為可以執(zhí)行各種功能或操作(如放大、加法和減法)的專用集成電路(IC)。 雖然我同意這個(gè)定義,但仍需注重芯片...
2023-06-10 標(biāo)簽:集成電路運(yùn)算放大器運(yùn)放 1076 0
該測(cè)試儀無(wú)需任何用戶操作的控件即可運(yùn)行,僅在揚(yáng)聲器激活時(shí)才汲取電流。它由三個(gè)振蕩器組成,每個(gè)振蕩器都包含一個(gè)永久安裝的晶體管和被測(cè)晶體管 (TOT)。這...
Fujitsu、NVIDIA、AMD和Intel高性能處理器架構(gòu)分析
商用高性能計(jì)算處理器市場(chǎng)主要被NVIDIA、AMD和Intel3家公司長(zhǎng)期占據(jù),在面向E級(jí)計(jì)算 的 高 性 能 處 理 器 中,AMD 最 新 的Ins...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快,并且具有負(fù)溫度系數(shù)(溫度上升時(shí)電流減少),因此被認(rèn)為是一種理...
2024-01-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1071 0
C類功率放大電路是一種以晶體管作為開(kāi)關(guān)元件的功率放大電路。它具有高效率、低失真、低噪聲、低交叉失真等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于音頻放大器、無(wú)線通信、電源管理等領(lǐng)域...
SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率
初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...
從本文開(kāi)始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究...
未來(lái)十年:邏輯電路的發(fā)展趨勢(shì)與前景展望
實(shí)際測(cè)量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽(tīng)到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。
現(xiàn)有AC/DC轉(zhuǎn)換器的課題是效率與尺寸
ROHM為解決現(xiàn)有AC/DC轉(zhuǎn)換器課題而開(kāi)發(fā)了BM2Pxxx系列產(chǎn)品。涉及共24種機(jī)型的BM2Pxxx系列內(nèi)置輸出功率晶體管和幾乎所有的保護(hù)功能,非常小...
2023-02-17 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IC 1059 0
自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來(lái),各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
PNP集電極開(kāi)路輸出是指在這種輸出配置下,當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí),其集電極(即輸出端)與電源軌相連,實(shí)現(xiàn)高電平輸出;而當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),輸出端則通過(guò)外部連接的“下...
2024-09-19 標(biāo)簽:晶體管pnp集電極開(kāi)路 1058 0
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