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晶圓蝕刻

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晶圓蝕刻技術(shù)

在氮化鎵和AlGaN上的濕式數(shù)字蝕刻

由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用...

2023-11-30 標簽：半導體晶圓晶圓蝕刻 508 0

氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標簽：半導體晶圓晶圓蝕刻 750 0

降低半導體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術(shù)

銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...

2023-09-22 標簽：半導體蝕刻蝕刻工藝 827 0

低能量電子束曝光技術(shù)

直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯...

2023-09-07 標簽：半導體蝕刻工藝電子束 638 0

耐蝕點蝕鍍銅工藝

隨著5G技術(shù)的推出，導致電子電路和IC基板在設計中要求更高的密度。由于5G應用的性質(zhì)，這些設計中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。

2023-09-01 標簽：半導體鍍銅工藝蝕刻工藝 3326 0

酸蝕刻對鈦醫(yī)藥材料納米形態(tài)表面特性及活化能的影響

鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介...

2023-09-01 標簽：傳感器半導體蝕刻工藝 534 0

基于晶圓鍵合的高效單晶圓清洗

就微粒污染而言，不同的微電子工藝需要非常干凈的表面。其中，直接晶片粘接在顆粒清潔度方面有非常積極的要求。直接晶圓鍵合是將兩種材料結(jié)合在一起，只需將它們光...

2023-05-09 標簽：半導體晶圓硅晶圓 1225 0

硅的濕式化學蝕刻和清洗

本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個蝕刻劑和過程的簡明清單

2023-03-17 標簽：半導體蝕刻蝕刻技術(shù) 2567 0

晶圓蝕刻帖子

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晶圓蝕刻資訊

電力輸送、材料和互連領域即將發(fā)生巨大變化

在設備互連方面，銅無可匹敵。其低電阻率和高可靠性為業(yè)界提供了出色的片上互連和芯片間連線服務。但在邏輯芯片中，隨著互連堆棧上升到14級范圍，并且阻容(RC...

2023-11-10 標簽：半導體晶圓蝕刻工藝 428 0

用紫外線/臭氧源對硅表面進行簡單的清潔和調(diào)節(jié)

由于成本優(yōu)化工藝是光伏行業(yè)的主要目標，簡單的、具有內(nèi)聯(lián)能力的清潔可以替代成本和時間密集型的濕化學清潔方法，如來自微電子應用的RCA清潔。

2023-05-06 標簽：半導體紫外線蝕刻 1023 0

美實驗室開發(fā)砷化鎵新晶圓蝕刻法

美國伊利諾大學(University of Illinois)實驗室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法

2012-01-07 標簽：PCB設計砷化鎵美實驗室 1582 0

晶圓蝕刻數(shù)據(jù)手冊

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