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標(biāo)簽 > 晶圓蝕刻
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隨著5G技術(shù)的推出,導(dǎo)致電子電路和IC基板在設(shè)計(jì)中要求更高的密度。由于5G應(yīng)用的性質(zhì),這些設(shè)計(jì)中的高可靠性和出色的電氣性能也越來(lái)越重要。
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配,這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上,銅(Cu)線的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中,首先使用光刻技術(shù)對(duì)聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖,然后通過(guò)干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯...
酸蝕刻對(duì)鈦醫(yī)藥材料納米形態(tài)表面特性及活化能的影響
鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性,并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成,保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介...
美實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)砷化鎵新晶圓蝕刻法
美國(guó)伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
2012-01-07 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)砷化鎵美實(shí)驗(yàn)室 1585 0
用紫外線/臭氧源對(duì)硅表面進(jìn)行簡(jiǎn)單的清潔和調(diào)節(jié)
由于成本優(yōu)化工藝是光伏行業(yè)的主要目標(biāo),簡(jiǎn)單的、具有內(nèi)聯(lián)能力的清潔可以替代成本和時(shí)間密集型的濕化學(xué)清潔方法,如來(lái)自微電子應(yīng)用的RCA清潔。
電力輸送、材料和互連領(lǐng)域即將發(fā)生巨大變化
在設(shè)備互連方面,銅無(wú)可匹敵。其低電阻率和高可靠性為業(yè)界提供了出色的片上互連和芯片間連線服務(wù)。但在邏輯芯片中,隨著互連堆棧上升到14級(jí)范圍,并且阻容(RC...
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