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標簽 > 晶粒
晶粒是組成多晶體的外形不規則的小晶體，在物質結晶過程中，通過晶核（結晶中心）生成和晶體成長而發展起來的小晶體。
晶粒是組成多晶體的外形不規則的小晶體，在物質結晶過程中，通過晶核（結晶中心）生成和晶體成長而發展起來的小晶體。
每個晶粒的組成也有若干個位向稍有差異的亞晶粒。晶粒直徑通常在0.015~0.25mm，而亞晶粒的直徑通常為0.001mm。
晶體尺寸通常可以X光衍射圖案衡量，一般會用到穿透式電子顯微鏡等才能較精確量測。
作者根據Wulff理論并與表面能數據制了每個NCM的晶粒形貌（圖4）。在該理論中，較小的表面能值往往對應較大的晶粒暴露表面積。在所有Wulff形貌中，只...
當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。
如果晶粒的邊界不移動，就不能生長成晶粒，但是，晶粒邊界的運動很難預測。因此，晶粒邊界（g.b.）是關鍵問題，但是就小編的了解，很難根據晶體材料的表現判斷...
在半導體制造領域，晶圓、晶粒與芯片是三個至關重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構成了現代電子設備的基石。本文將深入探討這三者之間的...
混晶，顧名思義，就是晶粒度大小不一的混雜在一起。晶粒度是表征金屬材料韌性好壞一個指標，晶粒度級別越高，材料韌性越高，反之韌性越差。如果在高級別晶粒的區域...
基于相關基礎研究，經過持續創新和關鍵技術攻關，研究團隊在摻雜型TCB-Al晶種合金及其熔體處理新技術方面取得了重要突破。
傳統機器視覺在執行精確對位、測量及其他涉及一致性特征的任務方面具有無與倫比的性能，但無法針對晶粒本身以及邦定、封裝等過程中可能出現的大量不可預測的缺陷進...
利用樣品的軋面（ND面）、與軋向垂直的剖面（RD面）、與橫向垂直的剖面（TD面）等3個觀察面的普通粉末衍射數據，進行2種分析處理。第1種方法是利用Exc...
本文主要介紹??????晶圓 （wafer）/晶粒 （die）/芯片 （chip）之間的區別和聯系。 ? 晶圓（Wafer）——原材料和生產平臺?? 晶...
一、 一般常見的焊接缺陷可分為四類：（1）焊縫尺寸不符合要求：如焊縫超高、超寬、過窄、高低差過大、焊縫過渡到母材不圓滑等。（2）焊接表面缺陷：如咬邊、焊...
對于在常溫下使用的零件，通常是這樣，因為晶粒越細小則晶界面積越大，對性能的影響也越大，材料強度越高，而細晶強化是不會降低材料塑形的。
金屬材料結構分析是揭示材料性能與材料成分、工藝措施間內在規律的重要手段和橋梁。化學成分，原子集合體的結構以及內部組織是決定金屬材料性能的內在基本因素。當...
芯片是半導體元件產品的統稱，也被稱作為集成線路、微電路、微芯片，芯片是由硅片制造出來的。而芯片的封裝是芯片制造的一個重要過程，今天為大家科普一個知識，什...
自然中普遍存在的現象，如云層中水分子在灰塵礦物質表面的聚集造成的降水/降雪、生物礦物質的形成等物理/化學過程等，都與基于結構物態相變有關，成核結晶的熱力...
比較法：比較法不需計算晶粒、截矩。與標準系列評級圖進行比較，用比較法評估晶粒度時一般存在一定的偏差(±0.5級)。評估值的重現性與再現性通常為±1級。
金屬增材制造（additive manufacturing， AM）在制造幾何形狀復雜的零件以及定制零件的微結構和性能方面具有巨大優勢，使其在各行各業中...
2021-06-15 標簽：晶粒 2354 0
在對不良品(或失效芯片)進行失效分析過程中，數據排查往往是最先要完成的一環，如分析芯片制造各環節(wafer測試、芯片封裝、芯片測試)的加工和測試數據，...
所以，我們看到了，拓撲量子材料中那些維度的表象顯得更加突出，因為動不動就是整數維度的量子材料新效應，如三維絕緣體、二維金屬、二維費米弧、一維金屬、零維 ...
高加速壽命試驗是加速電子產品在實際使用中會出現的損壞因素，以比實際使用更短的時間引發失效，藉此鑒定產品是否符合設計要求，以及對失效模式分析并提出改進方案。
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