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標(biāo)簽 > 極紫外光刻
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微納制造技術(shù):定向自組裝(DSA)終于找到了立足點(diǎn)
英特爾的發(fā)言人表示,該公司目前正在尋求多種利用定向自組裝(DSA)的集成工藝流程。“我們?cè)?SPIE 等會(huì)議上公開(kāi)討論過(guò)的一個(gè)工藝流程是使用 DSA 進(jìn)...
2023-08-22 標(biāo)簽:DSA極紫外光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 4244 0
該照明系統(tǒng)3包括視場(chǎng)復(fù)眼鏡31(field flyeye mirror,F(xiàn)FM)、光闌復(fù)眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror,PF...
2022-11-21 標(biāo)簽:照明系統(tǒng)光刻極紫外光刻 965 0
傳臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)前夕傳下修資本支出,今年恐低于300億美元
臺(tái)積電公司近年來(lái)資本支出高速擴(kuò)張,去年達(dá)到363億美元的最高值。今年上半年的實(shí)際資本支出為181億1000萬(wàn)美元,包括第二季度的資本支出81億7000萬(wàn)...
首次采用EUV技術(shù)!英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn)
據(jù)英特爾中國(guó)透露,極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動(dòng)著算力主導(dǎo)著ai、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛及新數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用軟件等計(jì)算需求最高的應(yīng)用軟件。另外,該技術(shù)將對(duì)英特...
2023-10-16 標(biāo)簽:英特爾移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)極紫外光刻 891 0
英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn),“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃又進(jìn)一步
近日,英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實(shí)現(xiàn),再次證明了英特爾正以強(qiáng)...
美國(guó)NIST發(fā)布極紫外光刻分析報(bào)告
EUVL是下一代半導(dǎo)體芯片制造的關(guān)鍵步驟。目前唯一一家生產(chǎn)EUVL掃描儀組件的公司是總部位于荷蘭的ASML。EUVL系統(tǒng)并非僅在荷蘭制造,而是由在全球開(kāi)...
掩模版的缺陷的光學(xué)檢測(cè)極為困難。通常,光學(xué)檢測(cè)可以獲得表面缺陷和相缺陷引起的所有轉(zhuǎn)印缺陷,但是由于 EUV 的多層掩模結(jié)構(gòu),使得這些缺陷被埋在多層薄膜的下面。
2022-10-24 標(biāo)簽:極紫外光刻EUV光刻機(jī) 7109 0
中科院研究了一種新算法,該算法優(yōu)化了源代碼和掩碼模式,社交學(xué)習(xí)策略提高了系統(tǒng)效率
2021年3月5日消息,近日,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所的研究人員提出了一種基于厚掩模模型和社會(huì)學(xué)習(xí)的極紫外光刻(EUVL)源掩模優(yōu)化(SMO)技...
首次加入EVU極紫外光刻 臺(tái)積電二代7nm+工藝開(kāi)始量產(chǎn)
臺(tái)積電官方宣布,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝,這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù),意義非凡,也領(lǐng)先Intel、三星一大步。
450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨其后
全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說(shuō),他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型,Intel、三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2...
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