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      標簽　>　氮化硅

      氮化硅

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      氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優異的機械和電性能。

      文章：67個 瀏覽：355次 帖子：0個

      氮化硅技術

      LPCVD氮化硅薄膜生長的機理

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      可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應物中氫的含量較低。氮...

      2025-02-07 標簽：芯片薄膜氮化硅 98 0

      鈣鈦礦疊層電池：Topcon與HJT底電池性能對比研究

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      異質結電池結構相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因為鈣礦電池與異質結電池進行疊層，異質結電池表面本身就是 TCO，異質結電池的產線無需做更改。

      2024-03-27 標簽：電池氮化硅 2023 0

      光子集成芯片需要的材料有哪些

      光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應用領域，適用于不同的光子器件和集成芯片設計。

      2024-03-18 標簽：半導體材料集成芯片氮化硅 1720 0

      LPCVD技術助力低應力氮化硅膜制備

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      LPCVD是低壓化學氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，...

      2024-01-22 標簽：流量傳感器mems壓力傳感器 2120 0

      MEMS工藝設計中如何實現應力匹配？

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      相較于本征應力，熱應力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數差來實現懸臂梁的驅動。在雙層膜形成的MEMS熱驅動器...

      2024-01-02 標簽：mems熱應力氮化硅 1408 0

      靶材的種類及制備工藝 靶材在半導體領域的應用

      選擇合適的靶材在半導體工藝中十分重要。

      2023-12-28 標簽：半導體場效應晶體管GaAs 1695 0

      基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

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      研究還表明，重復率的穩定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復率的穩定性相聯系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導同步KIS，表現出了相反色散...

      2023-12-27 標簽：激光器諧振器OFC 870 0

      氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位？

      氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位？

      在芯片制造中，有一種材料扮演著至關重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。

      2023-12-20 標簽：晶體管芯片制造氮化硅 2986 0

      硅基集成光量子芯片技術解析

      硅基集成光量子芯片技術解析

      介紹了光量子芯片在未來實現可實用化大規模光量子計算與信息處理應用方面展示出巨大潛力，并對硅基集成光量子芯片技術進行介紹。

      2023-11-30 標簽：半導體芯片技術光量子 2275 0

      CVD中的硅烷詳解

      CVD中的硅烷詳解

      硅烷（SiH4），是CVD里很常見的一種氣體，在CVD中通常用來提供硅的來源，用途很廣泛，我們來詳細了解一下。

      2023-11-24 標簽：CVD氮化硅 2521 0

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      2025-02-11 標簽：多晶硅晶圓氮化硅 24 0

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      2024-07-10 標簽：半導體CMP氮化硅 864 0

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      京瓷利用SN氮化硅材料研發高性能FTIR光源

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      京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。

      2023-12-15 標簽：FTIR氮化硅 661 0

      國科光芯實現傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長）級別氮化硅硅光芯片的量產

      據麥姆斯咨詢報道，經過兩年、十余次的設計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產平臺，實現了傳...

      2023-11-17 標簽：芯片硅光芯片氮化硅 1975 0

      國科光芯：專注氮化硅硅光技術，探索硅光產業發展新路徑

      第三，我們確實在今年上半年全面升級了發展戰略、使命及愿景。正如剛剛在介紹國科光芯的發展里程碑話題里提到的，基于激光雷達這幾年的深度研究，以及參考國際上硅...

      2023-09-01 標簽：激光雷達硅光子氮化硅 2217 0

      介質超構表面的CMOS兼容制備工藝的進展

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      超構表面為納米光子器件賦予了更高的自由度與靈活度，使實用的微納米光子器件的實現成為可能。

      2023-07-27 標簽：帶通濾波器光刻機CMOS技術 1677 0

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