第三代半導(dǎo)體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流？

氮化鎵（GaN）功率芯片將多個(gè)電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進(jìn)...

2023-09-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵快充 863 0

氮化鎵器件的性能優(yōu)勢(shì)

? ? ? 審核編輯：彭靜

2022-11-02 標(biāo)簽：氮化鎵 845 0

InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動(dòng)汽車高效運(yùn)行

盡管車身裝備了最先進(jìn)的電池組，但目前的常規(guī)電動(dòng)汽車仍然使用鉛酸電池在電機(jī)關(guān)閉時(shí)為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車鉛酸電池氮化鎵 810 0

氮化鎵電源芯片和同步整流芯片介紹

氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和...

2025-01-15 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵電源芯片 805 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí)，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 804 0

淺析氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)

　　Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 　　驅(qū)動(dòng)電源-常規(guī)雙極驅(qū)動(dòng)程序 　　GaN GIT （G...

2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源 802 0

如何解決服務(wù)器電源高頻損耗難題

隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用，對(duì)頻率要求更高，據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對(duì)磁芯來說，您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會(huì)滿足需求？對(duì)磁芯的選材有什么要求？

2023-05-10 標(biāo)簽：服務(wù)器氮化鎵 797 0

氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...

2023-09-11 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 790 0

氮化鎵快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...

2024-10-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN快充芯片 785 0

氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。

2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 759 0

25W氮化鎵電源芯片U8722BAS的主要特征

在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...

2024-12-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 755 0