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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如,6 毫歐器件顯示兩個(gè) R 的強(qiáng)度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級(jí) 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
過(guò)壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會(huì)提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳,當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí),該引腳會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)。通過(guò)檢測(cè)該引腳的狀態(tài),可以...
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在輕載模式下,芯片將原邊開(kāi)通速度減半(如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)),減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化,...
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
氮化鎵憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì),但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開(kāi)關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過(guò)沖/欠沖現(xiàn)象以及...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 214 0
在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,,停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過(guò)VSKIP_OUT(典...
恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A
恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機(jī)充電器的應(yīng)用中,電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連,由此也將導(dǎo)致輸送到電池...
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,可以顯著...
2025-06-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 91 0
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