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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合，納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。
報告內容包含： 動機 理論計算 氮化鎵材料參數 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態電阻 (RON)
技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
傳統的安規Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安...
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流...
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...
功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力，氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關速度和更低的功耗。2018年前后...
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅動器的所有優點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護...
這篇技術文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應用領域的優勢和應...
TI DRV7308 具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅動高達 450V 直流電源軌的三相 ...
帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內阻1.0--1.2...
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結
德州儀器（TI）提供的一種新的驅動器集成氮化鎵（GaN）功率級產品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現，該封裝尺寸為12mm x ...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關斷狀態。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態。
氮化鎵（GaN）無刷直流電機驅動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無刷直流（BLDC）電機驅動應用中的優勢展開研究，通過設計實例和實驗數據，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
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