深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下：

1 GND P 芯片參考地

2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵快充芯片U8722SP主要特征：

1. 集成 高壓 E-GaN

2. 集成高壓啟動功能

3. 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

4. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

6. 驅(qū)動電流分檔配置

7. 集成 Boost 供電電路

8. 集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(hù) (OVP)

輸出欠壓保護(hù) (DEM UVP)

輸入過壓保護(hù) (LOVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過載保護(hù) (OLP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值0.4V)時，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值0.5V/0.7V)時，氮化鎵快充芯片U8722SP重新開始開關(guān)動作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。

GaN氮化鎵產(chǎn)品的高壓特性，在封裝設(shè)計過程對設(shè)計要求與其他IC有明顯的差異。深圳銀聯(lián)寶科技充分考慮芯片本身的性能需求、以及客戶的差異化需求，推出了不同封裝的氮化鎵快充芯片，更好的服務(wù)于客戶！