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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應用。
業界正在考慮使用新的半導體工藝?；诘墸℅aN）的芯片用于功率控制器和發射器與接收器之間的無線電鏈路。
利用氮化鎵場效應晶體管和LM5113半橋驅動器實現的功率及效率
但如何能夠產生所要求的快速變化、帶寬處于數十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實現。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
在PC電源和充電器市場，從去年開始便流行起一個名為GaN（氮化鎵）的概念，并因這項技術的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么，GaN到底是一種怎樣的技術，...
2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發，目前已經開始滲透到手機和筆記本等電子設備的配件市場，并且市場容量增長迅速。據充電頭網了解，目前華為、小米、三星、OP...
碳化硅基氮化鎵功率放大器和mMIMO天線在部署5G服務中的應用
為了能夠滿足這些新應用程序所需必要的網絡吞吐量和可靠性，則需要運用新的技術。實現下一層級互聯互通的部分問題在于，在為同一區域內的一個量級或更多附加用戶設...
氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產品應用
作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國芯GaN產品上市，引起了大家的關注，PD產品更是多姿多彩；納微GaN產品和英諾賽科Ga...
東微半導體超級硅MOSFET系列產品，可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導體的GreenMOS系列產品是國內最早量產并進入工業級應用的高壓超級結產品系列，在國產品牌中占有領先地位，廣泛應用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...
由于2 月13 日小米在新品發表會中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時間原本GaN 在射頻領域熱燒的話題，快...
整理了市面上發售的氮化鎵GaN 充電器產品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產品（QR／ACF＋N...
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片，用于降低封裝的熱...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應用電路圖...
采用NV611X系列氮化鎵（GaN）進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項
介紹 GaN功率集成電路提供超低電容，優良的開關特性，低RDS（ON），封裝在一個小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作，并支持高密度電源...
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的...
多數電源應用必須減少電磁干擾 （EMI） 以滿足相關要求，系統設計人員必須嘗試各種方法來減少傳導和輻射發射。
隨著技術的發展，終端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材...
電子工業正在盡可能地將硅最大化應用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導熱性能較差，但其...
許多廠商都提供了門驅動芯片，這些芯片是十分有價值的，允許用戶為選定的GaN器件、轉換速度和其他因素進行調節。在這些驅動芯片中，來自TI的LMG1205可...
GaN在成本控制方面顯示出了更強的潛力。目前主流的GaN技術廠商都在研發以Si為襯底的GaN的器件，來替代昂貴的SiC襯底。有分析預測，到2019年Ga...
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