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標(biāo)簽 > 硅材料
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碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。
碳化硅對(duì)比硅材料器件有哪些優(yōu)勢(shì)
碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代,目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開(kāi)發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù),有助于對(duì)抗全球氣候...
華為氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵(GaN)技術(shù)是一種新型的半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的硅材料,GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一...
特斯拉model 3的火爆預(yù)售,使人們?cè)俅螌⒛抗饩劢褂谛履茉雌?chē),對(duì)于鋰電行業(yè)的意義在于其采用的動(dòng)力電池新材料。據(jù)介紹Model 3電池技術(shù)采用了硅碳...
2016-05-23 標(biāo)簽:動(dòng)力電池石墨烯硅材料 3670 0
簡(jiǎn)述碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料...
2023-02-03 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 2705 0
石墨烯(Graphene)是一種二維碳材料,是單層石墨烯、雙層石墨烯和多層石墨烯的統(tǒng)稱(chēng)。目前,國(guó)內(nèi)將十層以?xún)?nèi)(包括十層)統(tǒng)稱(chēng)為石墨烯材料。石墨烯一層層疊...
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
關(guān)于硅材料雜質(zhì)濃度測(cè)試,經(jīng)研究,參考肖特基二極管雜質(zhì)濃度測(cè)試方案,兩者幾乎一致,因此,針對(duì)硅材料雜質(zhì)濃度測(cè)試亦采用CV法測(cè)量。
半導(dǎo)體品控:打造穩(wěn)定、可靠的電子核心組件
半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心組件,其品質(zhì)控制至關(guān)重要。半導(dǎo)體的品控不僅關(guān)乎產(chǎn)品的性能穩(wěn)定,還直接影響著下游電子產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。本文將詳細(xì)介紹半...
在材料分析中的關(guān)鍵作用在材料科學(xué)領(lǐng)域,聚焦離子束(FIB)技術(shù)已經(jīng)成為一種重要的工具,尤其在制備透射電子顯微鏡(TEM)樣品時(shí)顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。金鑒實(shí)...
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