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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

什么是電力電子?為什么碳化硅對(duì)電力電子很重要?

碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車(chē)、公共汽車(chē)和其他類(lèi)型的公共交通工具。

2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET電力電子SiC 1698 0

碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素

碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素

芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(pán)(Source pad),柵極焊盤(pán)(Gate Pad)和開(kāi)爾文源極焊盤(pán)(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。

2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1697 0

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下...

2023-07-21 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SiC 1692 0

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗

2023-11-23 標(biāo)簽:MOSFET電磁干擾SiC 1686 0

中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來(lái)要到了

中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來(lái)要到了

國(guó)際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國(guó)市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國(guó)汽車(chē)品牌或與中國(guó)合資的汽車(chē)品牌...

2024-03-14 標(biāo)簽:SiC碳化硅射頻器件 1684 0

鋁碳化硅基板是什么 鋁碳化硅基板市場(chǎng)分析

鋁碳化硅基板是一種由鋁碳化硅材料制成的電子元件基板,它具有良好的熱穩(wěn)定性、耐高溫性、耐腐蝕性和耐電強(qiáng)度等特點(diǎn)。鋁碳化硅基板可以用于電子設(shè)備的熱管理,可以...

2023-02-15 標(biāo)簽:電子設(shè)備基板碳化硅 1682 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)介紹

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)介紹

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

2024-01-03 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1680 0

碳化硅功率半導(dǎo)體工藝流程

首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC,通過(guò)物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過(guò)1毫米 ...

2023-09-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1678 0

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅(SiC)長(zhǎng)期以來(lái)一直被稱(chēng)為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù),通過(guò)設(shè)計(jì)和制造創(chuàng)新,通過(guò)提供更高的功率密度,更好的高速開(kāi)關(guān)性能,更高的擊穿場(chǎng),更高的導(dǎo)熱性,...

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)晶圓碳化硅 1677 0

皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

在切割脆性 SiC 晶片時(shí),必須減少或完全消除機(jī)械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機(jī)械變化降至最低。同時(shí)還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度,以限...

2024-09-11 標(biāo)簽:激光器SiC碳化硅 1669 0

碳化硅二極管的檢測(cè)方法 應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)

碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的二極管,具有良好的耐腐蝕性、耐磨性、抗拉強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度等特性,可以用于電路中的放大、檢測(cè)、控制等功能。

2023-02-16 標(biāo)簽:二極管電磁屏蔽碳化硅 1662 0

碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)熱管理系統(tǒng)中的研究

我國(guó)擁有世界最大的汽車(chē)消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車(chē)[1]?車(chē)主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車(chē)突然沒(méi)電引起的焦慮問(wèn)題主要有...

2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET功率器件 1661 0

青銅劍技術(shù)基于二代ASIC芯片即插即用的驅(qū)動(dòng)器6CP0215T12-A11

青銅劍技術(shù)基于二代ASIC芯片即插即用的驅(qū)動(dòng)器6CP0215T12-A11

6CP0215T12-A11是專(zhuān)門(mén)針對(duì)1200V及以下電壓等級(jí)HPD封裝碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)的六通道、緊湊型驅(qū)動(dòng)器,可直接焊接在模塊上,即插即用無(wú)...

2023-04-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1659 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

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Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol,可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開(kāi)的力度,鍵能越大,需要拉開(kāi)的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?,...

2024-03-26 標(biāo)簽:SiC晶片光刻機(jī) 1658 0

SiC器件在電源中的應(yīng)用

SiC(碳化硅)器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件...

2024-08-19 標(biāo)簽:電源SiC碳化硅 1646 0

碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀!

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2022-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1638 0

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET晶體管 1637 0

B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全橋型電源應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全橋型電源應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFETLLC碳化硅 1633 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工,這部分跟硅基IGBT類(lèi)似。

2024-01-25 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1632 0

基本半導(dǎo)體榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

深圳本土第三代半導(dǎo)體科創(chuàng)企業(yè)——深圳基本半導(dǎo)體有限公司旗下車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。

2019-10-30 標(biāo)簽:中國(guó)芯電機(jī)控制器碳化硅 1632 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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