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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車(chē)、公共汽車(chē)和其他類(lèi)型的公共交通工具。
碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(pán)(Source pad),柵極焊盤(pán)(Gate Pad)和開(kāi)爾文源極焊盤(pán)(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1697 0
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下...
中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來(lái)要到了
國(guó)際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國(guó)市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國(guó)汽車(chē)品牌或與中國(guó)合資的汽車(chē)品牌...
鋁碳化硅基板是一種由鋁碳化硅材料制成的電子元件基板,它具有良好的熱穩(wěn)定性、耐高溫性、耐腐蝕性和耐電強(qiáng)度等特點(diǎn)。鋁碳化硅基板可以用于電子設(shè)備的熱管理,可以...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)介紹
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。
2024-01-03 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1680 0
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC,通過(guò)物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過(guò)1毫米 ...
2023-09-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1678 0
Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片
碳化硅(SiC)長(zhǎng)期以來(lái)一直被稱(chēng)為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù),通過(guò)設(shè)計(jì)和制造創(chuàng)新,通過(guò)提供更高的功率密度,更好的高速開(kāi)關(guān)性能,更高的擊穿場(chǎng),更高的導(dǎo)熱性,...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)晶圓碳化硅 1677 0
在切割脆性 SiC 晶片時(shí),必須減少或完全消除機(jī)械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機(jī)械變化降至最低。同時(shí)還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度,以限...
碳化硅二極管的檢測(cè)方法 應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)
碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的二極管,具有良好的耐腐蝕性、耐磨性、抗拉強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度等特性,可以用于電路中的放大、檢測(cè)、控制等功能。
碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)熱管理系統(tǒng)中的研究
我國(guó)擁有世界最大的汽車(chē)消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車(chē)[1]?車(chē)主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車(chē)突然沒(méi)電引起的焦慮問(wèn)題主要有...
2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET功率器件 1661 0
青銅劍技術(shù)基于二代ASIC芯片即插即用的驅(qū)動(dòng)器6CP0215T12-A11
6CP0215T12-A11是專(zhuān)門(mén)針對(duì)1200V及以下電壓等級(jí)HPD封裝碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)的六通道、緊湊型驅(qū)動(dòng)器,可直接焊接在模塊上,即插即用無(wú)...
2023-04-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1659 0
SiC(碳化硅)器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件...
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)
碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET晶體管 1637 0
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工,這部分跟硅基IGBT類(lèi)似。
2024-01-25 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1632 0
基本半導(dǎo)體榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)
深圳本土第三代半導(dǎo)體科創(chuàng)企業(yè)——深圳基本半導(dǎo)體有限公司旗下車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。
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