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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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近幾年,碳化硅作為一種無機材料,其熱度可與“半導體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論,它除了是制造芯片的戰略性半導體材料外,因其獨有的特性和優勢受到其...
進入90年代以后,第二代半導體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導體材料逐漸出現,使得有線通訊技術迅速發展。隨后在本世紀初,碳化硅,氮化鎵等具有寬禁帶的第...
寬禁帶半導體,指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大,決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環境的穩定性應用而設計的,額定的 最高結溫為 175℃。柵極驅動器本身具備在最高環境工作溫度為 125℃的情況下、長時間工作的增強...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當前半導體材料領域的佼佼者,它們各自具有獨特的優勢,應用領域也有所不同。以下是對兩者優勢的比較: 氮化鎵(GaN)...
近年來,半導體行業最為火熱的話題非寬禁帶半導體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場強(MV/cm)和...
以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢
設計出色功效的電子應用時,需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術具有...
碳化硅(SiC)是化合物半導體材料之一,具有獨特的材料性能。例如,它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...
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