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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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太陽能逆變器和儲能系統應用以及其他可再生能源系統正在促使能源網絡實現現代化,以提高其韌性,滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。
綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用,尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統設計轉型。碳化硅(SiC)是引領這一趨勢的核心技術,可提供多種新功能不斷推動各種車...
公司在IGBT的技術基礎上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導體器件關鍵技術。斯達作為國內車規(guī)級SiC模塊的重要供應商,車規(guī)級SiC模塊已獲得了國內外多...
聚焦器件可靠性、柵極驅動器創(chuàng)新和總體系統解決方案
第二項關鍵測試是短路耐受時間 (SCWT),或者說軌到軌短路條件下設備發(fā)生故障前的最長耐受時間。測試結果應接近功率轉換應用中使用的IGBT,其中大多數擁...
碳化硅襯底高溫加工場景下測量探頭溫漂的動態(tài)修正方法
引言 碳化硅襯底高溫加工過程中,溫度的劇烈變化會引發(fā)測量探頭溫漂,嚴重影響襯底厚度等參數的測量精度,進而干擾加工工藝的精準控制。探尋有效的動態(tài)修正方法,...
切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優(yōu)化
引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數。深入探究二者的量化關系,并進行工藝優(yōu)化,對提升碳化硅襯底質量、滿足半導體器件制...
基于進給量梯度調節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術
碳化硅襯底切割過程中,厚度不均勻問題嚴重影響其后續(xù)應用性能。傳統固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化,基于進給量梯度調節(jié)的方法為提升切割厚度...
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