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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變,成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動(dòng)公司發(fā)展,掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...
緯湃科技開(kāi)發(fā)出創(chuàng)新型功率模塊,將采用傳遞模塑工藝制造
據(jù)悉,該功率模塊由三個(gè)包覆成型的半橋組成,構(gòu)成逆變器系統(tǒng)的核心,控制高壓電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)能量和能量回收。
2023-09-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電子元件逆變器 622 0
SiC芯片可以高溫工作,與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...
碳化硅將推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展
無(wú)論是 1 級(jí)還是 2 級(jí)充電器,都是為電動(dòng)汽車提供交流電,因此車載充電器是將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出來(lái)為電池充電的關(guān)鍵。目前,市面部署的大多數(shù)充電器都是...
2023-09-20 標(biāo)簽:混合動(dòng)力汽車電力系統(tǒng)碳化硅 621 0
? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動(dòng)...
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...
SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 601 0
隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計(jì)算的龐大處理需求而變得越來(lái)越耗電,提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比,搭載人工智能的引擎需要消耗超過(guò) 10 倍...
碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用
服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ),處理著網(wǎng)絡(luò)上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運(yùn)行,承載著整個(gè)企業(yè)甚至全球各地的訪問(wèn)任務(wù),這主要?dú)w功于其高性能、高...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...
碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇
電動(dòng)化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢(shì),對(duì)高速充電的需求持續(xù)提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 584 0
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...
納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。
在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本,因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...
2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 571 0
深度探索應(yīng)對(duì)芯片挑戰(zhàn)的三種思路
硅材料雖然適合大規(guī)模生產(chǎn),儲(chǔ)藏豐富,還有一個(gè)天然穩(wěn)定的絕緣氧化層,但它也有難以克服的缺點(diǎn):電子遷移率低,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速度不高;散熱特性一般,限制了芯片的工...
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