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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

本文作者:Brandon Becker,安森美(onsemi)電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營(yíng)銷經(jīng)理 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC...

2025-02-22 標(biāo)簽:JFET晶體管碳化硅 631 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變,成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 628 0

薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué),以新材料新工藝新產(chǎn)品推動(dòng)公司發(fā)展,掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...

2023-08-16 標(biāo)簽:鋰電池電路圖半導(dǎo)體 625 0

緯湃科技開(kāi)發(fā)出創(chuàng)新型功率模塊,將采用傳遞模塑工藝制造

據(jù)悉,該功率模塊由三個(gè)包覆成型的半橋組成,構(gòu)成逆變器系統(tǒng)的核心,控制高壓電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)能量和能量回收。

2023-09-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電子元件逆變器 622 0

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作,與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...

2025-02-12 標(biāo)簽:封裝技術(shù)三菱電機(jī)SiC 621 0

碳化硅將推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展

碳化硅將推動(dòng)車載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展

無(wú)論是 1 級(jí)還是 2 級(jí)充電器,都是為電動(dòng)汽車提供交流電,因此車載充電器是將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出來(lái)為電池充電的關(guān)鍵。目前,市面部署的大多數(shù)充電器都是...

2023-09-20 標(biāo)簽:混合動(dòng)力汽車電力系統(tǒng)碳化硅 621 0

一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動(dòng)...

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 619 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 616 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...

2024-10-30 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 602 0

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、...

2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 601 0

安森美T10系列支持下一代大功率處理器

安森美T10系列支持下一代大功率處理器

隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計(jì)算的龐大處理需求而變得越來(lái)越耗電,提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比,搭載人工智能的引擎需要消耗超過(guò) 10 倍...

2024-07-02 標(biāo)簽:處理器安森美碳化硅 598 0

碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ),處理著網(wǎng)絡(luò)上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運(yùn)行,承載著整個(gè)企業(yè)甚至全球各地的訪問(wèn)任務(wù),這主要?dú)w功于其高性能、高...

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體MOS管 591 0

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...

2025-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 585 0

碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇

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電動(dòng)化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢(shì),對(duì)高速充電的需求持續(xù)提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 584 0

新型功率器件的老化測(cè)試方法

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隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...

2025-06-03 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 580 0

納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-06-07 標(biāo)簽:功率器件充電樁碳化硅 579 0

淺談?dòng)w凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

淺談?dòng)w凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...

2023-11-27 標(biāo)簽:英飛凌SiCGaN 572 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本,因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 571 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 567 0

深度探索應(yīng)對(duì)芯片挑戰(zhàn)的三種思路

深度探索應(yīng)對(duì)芯片挑戰(zhàn)的三種思路

 硅材料雖然適合大規(guī)模生產(chǎn),儲(chǔ)藏豐富,還有一個(gè)天然穩(wěn)定的絕緣氧化層,但它也有難以克服的缺點(diǎn):電子遷移率低,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速度不高;散熱特性一般,限制了芯片的工...

2023-11-23 標(biāo)簽:cpu晶體管光連接器 551 0

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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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