SCD關(guān)于InAsSb nBn中波高溫器件和InAs/GaSb二類超晶格pBp長波器件的研發(fā)歷程

SCD的優(yōu)勢及主流產(chǎn)品主要是III-V族紅外探測器。20世紀(jì)90年代開始，SCD的研發(fā)重心就放在InSb上，早期主要研究離子注入型平面結(jié)工藝，工藝成熟后...

2019-02-25 標(biāo)簽：紅外探測器器件SCD 1.5萬 0

分享關(guān)于紅外熱成像知識的原理及應(yīng)用

非均勻性校正是指有效降低探測器的響應(yīng)率不均勻性，提高熱像儀成像質(zhì)量的一種技術(shù)手段。經(jīng)過非均勻性校正的熱像儀成像畫面均勻，鬼影和壞點現(xiàn)象消失，成像效果得到...

2019-08-26 標(biāo)簽：分辨率紅外探測器紅外熱成像 1.4萬 0

焦平面紅外探測器應(yīng)用現(xiàn)狀

在精確制導(dǎo)領(lǐng)域，主流制導(dǎo)方式有紅外制導(dǎo)和雷達制導(dǎo)，這兩種方式各有優(yōu)勢，在某些特定的場合，紅外制導(dǎo)更是顯示出其不可替代性。與雷達制導(dǎo)的主動探測相比，紅外探...

2019-03-18 標(biāo)簽：探測器數(shù)據(jù)采集紅外探測器 1.4萬 0

何謂第三代紅外探測器技術(shù)？發(fā)展趨勢如何？

量子阱紅外探測器的名稱來源于其構(gòu)成材料在能帶結(jié)構(gòu)上構(gòu)成電子或空穴勢阱，外來光子引起的電子或空穴躍遷屬于子帶間躍遷，在外加電場的作用下光生載流子被收集形成...

2019-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料紅外探測器晶格 8592 0

光學(xué)讀出紅外探測器的兩種制造方法

本發(fā)明提供了一種改進的光學(xué)讀出紅外探測器結(jié)構(gòu)及其制作方法。探測器結(jié)構(gòu)包括：玻璃襯底和通過第二錨懸空于玻璃襯底上的懸浮結(jié)構(gòu)；懸浮結(jié)構(gòu)包括可見光反射層、紅外...

2017-09-25 標(biāo)簽：紅外探測器 6793 0

基于三代紅外探測器的一種新型材料：硒鎘汞

早在20多年前，就有過HgCdSe材料研究的相關(guān)報道，但受襯底制備、材料外延技術(shù)等所限，結(jié)果并不理想。近年來隨著Type-II的發(fā)展，GaSb單晶生長和...

2019-04-28 標(biāo)簽：晶體半導(dǎo)體材料紅外探測器 6389 0

中長波紅外探測器的特點及發(fā)展現(xiàn)狀

中波、長波紅外探測大氣穿透力強、識別偽裝目標(biāo)的能力優(yōu)越，是制約未來天基對地觀測、天文探測能力的關(guān)鍵技術(shù)，其對低溫、遙遠、弱目標(biāo)和低對比度目標(biāo)的探測性能決...

2024-01-19 標(biāo)簽：傳感器紅外探測器探測系統(tǒng) 4711 0

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測器

本文實現(xiàn)了一種正面開口的熱電堆結(jié)構(gòu)，采用XeF2作為工作氣體干法刻蝕工藝釋放器件。相對于刻蝕硅，XeF2氣體對鋁等材料的刻蝕速率極小，這樣就可以采用標(biāo)準(zhǔn)...

2012-05-02 標(biāo)簽：紅外探測器CMOS工藝熱電堆 4115 0

激光測溫法概述

為了確定溫度，用一個光束（通常是激光）照射待測物，測量一個或多個參數(shù)：固定波長的反射和或透射系數(shù)、反射和或透射光譜、反射光的偏振態(tài)等等。

2024-01-14 標(biāo)簽：激光紅外探測器激光測溫 3743 0

紅外探測器電路圖解說明

該紅外探測器可用于檢測其附近是否存在來自任何電子源的調(diào)制紅外信號，例如紅外手持遙控器。它還可用于測試紅外防盜報警系統(tǒng)。這不是紅外運動探測器！

2023-07-24 標(biāo)簽：紅外探測器探測電路 3651 0