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標(biāo)簽 > 閃存技術(shù)
閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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大容量與高性能SSD硬盤(pán)之間的對(duì)比情況如何
人們需要了解企業(yè)級(jí)硬盤(pán)的最新發(fā)展趨勢(shì)、高性能存儲(chǔ)設(shè)備的應(yīng)用方式,以及底層NAND閃存技術(shù)進(jìn)步的影響。
為什么說(shuō)UFS 3.0閃存是如今5G旗艦機(jī)的標(biāo)配
要說(shuō)起今年旗艦機(jī)最火的“標(biāo)準(zhǔn)配置”,UFS 3.0一定占得一席。那么,UFS 3.0是什么?它能給智能機(jī)體驗(yàn)帶來(lái)質(zhì)的提升嗎?
三星PCIe Gen5 SSD滿足大負(fù)荷企業(yè)級(jí)工作環(huán)境
? 隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、5G等技術(shù)的發(fā)展,數(shù)據(jù)計(jì)算和高效存儲(chǔ)的需求量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),能夠支持PCIe Gen5的設(shè)備將更加契合當(dāng)前數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級(jí)應(yīng)用的需...
Pure Storage連續(xù)8年蟬聯(lián)Gartner“主存儲(chǔ)魔力象限”領(lǐng)導(dǎo)者地位
Pure Storage在Gartner“主存儲(chǔ)關(guān)鍵能力”報(bào)告中的“容器”使用場(chǎng)景中拿下第一。
2021-10-26 標(biāo)簽:閃存技術(shù) 2004 0
七彩虹新款SSD固態(tài)硬盤(pán),高性價(jià)比之選
隨著3D NAND閃存技術(shù)的發(fā)展并投入使用,固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格開(kāi)始回落,相較于機(jī)械硬盤(pán)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)也越來(lái)越小,目前對(duì)于大部分用戶來(lái)說(shuō),在用于電腦存儲(chǔ)的設(shè)備的選擇...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)8月將推出Xtacking 2.0技術(shù)
在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場(chǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官湯強(qiáng)做了題為《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》的主題演講,并透露將在今年8月正式推出Xt...
2019-05-17 標(biāo)簽:閃存技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1828 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新技術(shù)宣布著國(guó)產(chǎn)第三代閃存的到來(lái)
紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 標(biāo)簽:閃存技術(shù)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1778 0
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片SSD獲得了重大技術(shù)性的突破
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片一直受到業(yè)界的關(guān)注,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布,公司實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、...
隨著技術(shù)的發(fā)展,存儲(chǔ)設(shè)備也在不斷進(jìn)步。SSD和HDD是兩種常見(jiàn)的存儲(chǔ)解決方案,它們各自有著不同的優(yōu)勢(shì)和局限性。 SSD和HDD的區(qū)別 1. 速度 SSD...
2024-11-11 標(biāo)簽:SSD存儲(chǔ)設(shè)備閃存技術(shù) 1611 0
德明利TWSC2985系列:支持4K LDPC技術(shù)的存儲(chǔ)芯片
該系列芯片支持ONFI 4.0接口協(xié)議,且向下兼容SDR、NV_DDR2、NV_DDR3等舊有模式,確保與現(xiàn)有存儲(chǔ)系統(tǒng)的無(wú)縫對(duì)接,有效降低用戶在設(shè)備升級(jí)...
2024-04-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)芯片閃存技術(shù) 1573 0
西部數(shù)據(jù)以創(chuàng)新閃存技術(shù)賦能5G智能手機(jī)新體驗(yàn)
51CTO 張誠(chéng) 今天,隨著智能手機(jī)應(yīng)用與數(shù)據(jù)量的高速增長(zhǎng),用戶對(duì)于閃存存儲(chǔ)的性能和容量要求越來(lái)越高。芯片制程、架構(gòu)和算力算法的精進(jìn)也讓嵌入式存儲(chǔ)器在性...
2021-08-26 標(biāo)簽:閃存技術(shù)西部數(shù)據(jù) 1509 0
一周之前,三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間,同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首...
中國(guó)“芯”時(shí)代,打破韓美相變存儲(chǔ)壟斷
近幾年才逐漸步入商品化的新一代存儲(chǔ)技術(shù)——相變存儲(chǔ)(PCM),以高性能著稱,具有替代傳統(tǒng)存儲(chǔ)甚至閃存的能力,由此勢(shì)必將引發(fā)存儲(chǔ)市場(chǎng)的新一輪變革。
2013-12-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)閃存技術(shù)大數(shù)據(jù) 1396 2
三星電子即將開(kāi)啟290層V9 NAND芯片量產(chǎn)
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新預(yù)測(cè)顯示,盡管NAND閃存市場(chǎng)在2023年經(jīng)歷了下滑,但預(yù)計(jì)今年將迎來(lái)強(qiáng)勁反彈,增長(zhǎng)率高達(dá)38.1%。
英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)...
作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商,從東芝獨(dú)立出來(lái)之后的鎧俠(Kioxia)從2020年開(kāi)始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。
UFS 3.0閃存技術(shù)將成為未來(lái)5G手機(jī)的標(biāo)配
5G時(shí)代,隨著手機(jī)網(wǎng)速的暴漲,手機(jī)的配置要求也隨之發(fā)生了改變。其中,UFS 3.0最先被消費(fèi)者所關(guān)注,大部分的用戶都認(rèn)為5G手機(jī)必須標(biāo)配UFS 3.0閃...
美光第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開(kāi)始出貨
知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已然問(wèn)世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷...
2024-07-31 標(biāo)簽:NAND美光固態(tài)硬盤(pán) 1099 0
揭秘閃存技術(shù)新進(jìn)展,東芝存儲(chǔ)器CTO將親臨CFMS2019發(fā)表演說(shuō)!
2019上半年NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格跌跌不休,下半年雖然行情逆轉(zhuǎn),但依然被需求疲軟、高庫(kù)存、減產(chǎn)不斷、貿(mào)易沖突等不安的氛圍充斥著整個(gè)產(chǎn)業(yè)...
2019-08-23 標(biāo)簽:閃存技術(shù)東芝存儲(chǔ)器 983 0
傳紫光將與SK海力士就閃存技術(shù)許可達(dá)成合作
網(wǎng)上有傳聞紫光集團(tuán)已經(jīng)和SK海力士達(dá)成了合作,合作的內(nèi)容是就芯片閃存技術(shù)許可相關(guān)事宜。不久紫光集團(tuán)馬上出來(lái)澄清,表示未與SK海力士進(jìn)行任何事宜談判或合作...
2017-12-27 標(biāo)簽:閃存技術(shù)sk海力士紫光集團(tuán) 970 0
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