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標簽 > 雪崩擊穿

雪崩擊穿

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  雪崩擊穿是指材料摻雜濃度較低的PN結中,當PN結反向電壓增加時,空間電荷區中的電場隨著增強,雪崩擊穿有正溫度系數,使得阻擋層中的載流子的數量雪崩式地增加,流過PN結的電流就急劇增大擊穿PN結,這種現象稱為電子雪崩現象。

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雪崩擊穿簡介

  雪崩擊穿是指材料摻雜濃度較低的PN結中,當PN結反向電壓增加時,空間電荷區中的電場隨著增強,雪崩擊穿有正溫度系數,使得阻擋層中的載流子的數量雪崩式地增加,流過PN結的電流就急劇增大擊穿PN結,這種現象稱為電子雪崩現象。

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雪崩擊穿知識

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雪崩擊穿技術

雪崩擊穿與齊納擊穿有什么區別?

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隨著反向電壓的提高,空間電荷區內電場增強,通過勢壘區的載流子獲得的能量也隨之增加。

2020-09-13 標簽:雪崩擊穿齊納 7.3萬 0

雪崩擊穿和齊納擊穿區別有哪些

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崩擊穿和齊納擊穿是半導體器件中常見的兩種擊穿現象,它們在物理機制、電壓特性和應用方面有很大的區別。本文將對這兩種擊穿現象進行詳細的介紹和分析。 一、雪崩...

2023-12-30 標簽:電壓雪崩擊穿半導體器件 2.2萬 0

一文詳解齊納擊穿和雪崩擊穿

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圖1給出了PN二極管的伏安特性,包括擊穿區域。因此,當PN二極管高度反向偏置時,結可能會擊穿,即它呈現極小的電阻,導致電流在幾乎恒定的電壓下突然增加。只...

2024-05-05 標簽:二極管雪崩擊穿齊納擊穿 9452 0

什么是PN結的反向擊穿?PN結的反向擊穿有哪幾種?

PN結的反向擊穿是半導體物理學中的一個重要概念,它指的是在PN結處于反向偏置狀態時,當外加的反向電壓增加到一定程度時,PN結的電流會突然激增,這種現象稱...

2024-07-25 標簽:半導體PN結雪崩擊穿 6032 0

什么原因導致了靜態雪崩擊穿?

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IGBT關斷時,如果關斷過快,di/dt過大會導致Vce電壓過大超過斷態電壓Uces時就有可能導致靜態雪崩擊穿。

2021-05-15 標簽:IGBT雪崩擊穿 5994 0

一文詳解雪崩擊穿與齊納擊穿

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材料摻雜濃度較低的PN結中,當PN結反向電壓增加時,空間電荷區中的電場隨著增強。

2024-02-25 標簽:PN結雪崩擊穿載流子 5795 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

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當功率器件承受的雪崩耐量超過極限后,芯片最終會損壞,然而單脈沖雪崩與重復雪崩的失效機理并不相同。

2024-02-25 標簽:MOSFET雪崩擊穿功率器件 4805 0

一文詳解MOSFET的失效機理

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當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,會造成擊穿并引發雪崩擊穿。

2022-05-16 標簽:MOSFET雪崩擊穿雪崩失效 4626 0

MOSFET失效模式分析

當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離...

2022-04-19 標簽:MOSFET雪崩擊穿失效 3942 0

什么是雪崩擊穿 雪崩失效電流路徑示意圖

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雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導體器件中一個關鍵的物理現象,特別是在PN結二極管和各種類型的功率晶體管中。當這些器件的反向電壓超...

2024-02-23 標簽:電流半導體雪崩擊穿 3383 0

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雪崩擊穿資訊

何謂PN結的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點?

何謂PN結的擊穿特性?雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點? PN結的擊穿特性是指當在PN結上施加的電壓超過一定的值時,PN結將發生擊穿現象,電流迅速增大,導致...

2023-11-24 標簽:PN結雪崩擊穿載流子 3679 0

雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思

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2010-02-27 標簽:雪崩擊穿 3566 0

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2024-03-08 標簽:雪崩擊穿續流二極管電流電壓 728 0

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