面對MOS管小電流發熱，該如何解決？

Source、Drain、Gate分別對應場效應管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。01MOSFET的擊穿有...

2025-02-11 標簽：MOS管雪崩擊穿小電流 64 0

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機理

雪崩耐量是功率器件性能評估的關鍵指標，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收...

2024-08-15 標簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 1840 0

一文詳解齊納擊穿和雪崩擊穿

圖1給出了PN二極管的伏安特性，包括擊穿區域。因此，當PN二極管高度反向偏置時，結可能會擊穿，即它呈現極小的電阻，導致電流在幾乎恒定的電壓下突然增加。只...

2024-05-05 標簽：二極管雪崩擊穿齊納擊穿 9476 0

TVS瞬態電壓抑制器關鍵參數都有哪些？

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。

2024-02-26 標簽：二極管TVS雪崩擊穿 1432 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復雪崩的失效機理并不相同。

2024-02-25 標簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 4841 0

一文詳解雪崩擊穿與齊納擊穿

材料摻雜濃度較低的PN結中，當PN結反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨著增強。

2024-02-25 標簽：PN結雪崩擊穿載流子 5834 0

什么是雪崩擊穿？電除塵器中的電子雪崩現象

材料摻雜濃度較低的PN結中，當PN結反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨著增強。

2024-02-25 標簽：示波器雪崩擊穿單脈沖 1506 0

什么是雪崩擊穿 雪崩失效電流路徑示意圖

雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導體器件中一個關鍵的物理現象，特別是在PN結二極管和各種類型的功率晶體管中。當這些器件的反向電壓超...

2024-02-23 標簽：電流半導體雪崩擊穿 3403 0

雪崩擊穿和齊納擊穿區別有哪些

崩擊穿和齊納擊穿是半導體器件中常見的兩種擊穿現象，它們在物理機制、電壓特性和應用方面有很大的區別。本文將對這兩種擊穿現象進行詳細的介紹和分析。 一、雪崩...

2023-12-30 標簽：電壓雪崩擊穿半導體器件 2.2萬 0

雪崩擊穿和光電器件介紹與仿真

本推文包含兩個部分，一個是雪崩擊穿和碰撞電離的關系，一個是光電器件仿真簡介。旨在提倡用理論知識去指導仿真，和通過仿真結果反過來加深對理論理解的重要性。

2023-11-27 標簽：仿真光電器件雪崩擊穿 1373 0

如何提高開關電源芯片MOSFET雪崩可靠性？

當功率器件PN結的反向電壓增大到某一數值后，半導體內載流子通過碰撞電離開始倍增，這一現象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。

2023-11-23 標簽：MOSFET示波器VDMOS 1293 0

一文詳解MOSFET的失效機理

當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發雪崩擊穿。

2022-05-16 標簽：MOSFET雪崩擊穿雪崩失效 4642 0

什么原因導致了靜態雪崩擊穿？

IGBT關斷時，如果關斷過快，di/dt過大會導致Vce電壓過大超過斷態電壓Uces時就有可能導致靜態雪崩擊穿。

2021-05-15 標簽：IGBT雪崩擊穿 6027 0

雪崩擊穿與齊納擊穿有什么區別？

隨著反向電壓的提高，空間電荷區內電場增強，通過勢壘區的載流子獲得的能量也隨之增加。

2020-09-13 標簽：雪崩擊穿齊納 7.3萬 0