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非易失性存儲(chǔ)器

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　　非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。

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非易失性存儲(chǔ)器資訊

HIRO 部署新一代可擴(kuò)展邊緣微型數(shù)據(jù)中心

與匈牙利創(chuàng)新硬件設(shè)計(jì)公司 PCB Design Ltd.密切合作，開(kāi)發(fā)了一個(gè)堅(jiān)固耐用的高性能通信與計(jì)算解決方案。

2021-12-15 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)人工智能機(jī)器學(xué)習(xí) 1350 0

華虹上市，國(guó)內(nèi)晶圓代工格局已現(xiàn)

8月7日，華虹半導(dǎo)體正式在科創(chuàng)板掛牌上市，科創(chuàng)板迎來(lái)今年內(nèi)第三家上市的晶圓代工企業(yè)。

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淺談非易失性MRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

切換（或場(chǎng)驅(qū)動(dòng)）MRAM包括大部分的獨(dú)立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度，需要更低的...

2020-06-23 標(biāo)簽：MRAM 非易失性存儲(chǔ)器 1257 0

可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代S...

2022-06-29 標(biāo)簽：MRAM 非易失性存儲(chǔ)器 1229 0

貿(mào)澤電子即日起開(kāi)售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產(chǎn)品

貿(mào)澤電子宣布即日起開(kāi)售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）和高密度電阻式隨機(jī)存...

2021-12-13 標(biāo)簽：SPI接口 fram 非易失性存儲(chǔ)器 1200 0

Microchip推出八通道12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器，支持體積更小或空間受限的系統(tǒng)

八通道12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器將非易失性存儲(chǔ)器與集成參考電壓源相結(jié)合，降低上電期間的處理器開(kāi)銷，同時(shí)支持體積更小或空間受限的系統(tǒng)。

2020-10-22 標(biāo)簽：混合信號(hào)microchip 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1171 0

MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動(dòng)化控制器的存儲(chǔ)器芯片

Everspin了解客戶在工業(yè)市場(chǎng)中對(duì)長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過(guò)避免使用其他非易失性存儲(chǔ)器技...

2022-04-18 標(biāo)簽：MRAM 非易失性存儲(chǔ)器 1152 0

揭秘非易失性存儲(chǔ)器:從原理到應(yīng)用的深入探索

? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒(méi)有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類...

2025-02-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 1150 0

A股今年以來(lái)最大IPO！多家產(chǎn)業(yè)鏈公司爭(zhēng)相“打新”

今日，華虹公司（華虹半導(dǎo)體）開(kāi)啟申購(gòu)，申購(gòu)代碼為787347，發(fā)行價(jià)格為52.0元/股，單一賬戶申購(gòu)上限40500股，頂格申購(gòu)需配市值40.5萬(wàn)元。

2023-07-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理晶圓 1035 0

基于域或區(qū)域的ECU架構(gòu)過(guò)渡優(yōu)勢(shì)

基于區(qū)域和基于域的體系結(jié)構(gòu)都支持硬件和軟件生命周期的分離。兩者都允許制造商在不更改組件的情況下更新和升級(jí)車輛軟件。這些新架構(gòu)還提供軟件定義的車輛，可以在...

2023-10-09 標(biāo)簽：mcu PCM 嵌入式 985 0

為你的智能座駕選擇適宜的存儲(chǔ)器

縱觀整個(gè)市場(chǎng)，現(xiàn)在的汽車究竟搭載了多少?gòu)?fù)雜的功能？自動(dòng)泊車、碰撞警告、主動(dòng)剎車、ACC自適應(yīng)巡航、VSA車聯(lián)網(wǎng)檢查、ISA電子警察系統(tǒng)、TMC實(shí)時(shí)交通系...

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NAND、NOR和F-RAM的理想工作負(fù)載

過(guò)去，內(nèi)存的進(jìn)步主要通過(guò)密度或每比特成本的提高來(lái)衡量。但是，隨著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的性能要求的發(fā)展，用于選擇它們的標(biāo)準(zhǔn)也發(fā)生了變化。工廠自動(dòng)化、自動(dòng)駕駛汽...

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石油高溫存儲(chǔ)器未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)

非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品...

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嵌入式存儲(chǔ)IP在5G、汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用

2022年11月16日-18日，由工業(yè)和信息化部、安徽省人民政府主辦的2022世界集成電路大會(huì)在安徽合肥舉行。本次大會(huì)的舉辦旨在進(jìn)一步加強(qiáng)全球集成電路產(chǎn)...

2022-11-18 標(biāo)簽：集成電路汽車電子 IP 873 0

關(guān)于MRAM演示軟件的分析

在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的...

2022-11-17 標(biāo)簽：微控制器 MRAM 非易失性存儲(chǔ)器 809 0

2021存儲(chǔ)行業(yè)營(yíng)收概況非易失性存儲(chǔ)表現(xiàn)亮眼

在芯片產(chǎn)業(yè)中，存儲(chǔ)芯片是全球集成電路市場(chǎng)銷售額占比最高的分支，在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)很重要的地位。2021年存儲(chǔ)行業(yè)整體營(yíng)收共計(jì) 214.49億元，同比增長(zhǎng) 91...

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什么才是嵌入式Flash的邊界？

什么才是嵌入式Flash的邊界？嵌入式Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器，常用于嵌入式電子設(shè)備中，如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、車載娛樂(lè)系統(tǒng)等。它與傳統(tǒng)...

2023-10-29 標(biāo)簽：嵌入式 FlaSh 非易失性存儲(chǔ)器 739 0

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隨著系統(tǒng)復(fù)雜性不斷增加，包括多個(gè)數(shù)學(xué)函數(shù)和算法的復(fù)雜代碼也隨之增加，片上存儲(chǔ)器內(nèi)存容量可能不足。因此便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲(chǔ)空間，以便設(shè)計(jì)人員使...

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Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征

MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...

2022-01-26 標(biāo)簽：MRAM 非易失性存儲(chǔ)器 everspin 602 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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