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標(biāo)簽 > 3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間,但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand技術(shù)

pSLC帶來的“新”存儲容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

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( 作者:Swissbit AG 存儲解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer)如今,在 NAND 閃存行業(yè)中,隨處可見存儲密度又達(dá)到新高的各種新...

2021-11-16 標(biāo)簽:閃存NAND存儲 1.9萬 0

存儲芯片是什么 存儲芯片的分類及發(fā)展歷史

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存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測,2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到1675億美元,...

2023-07-07 標(biāo)簽:fpgaasic存儲芯片 1.6萬 0

 一文讀懂3D NAND存儲器進(jìn)化史

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通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來,促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。

2018-04-16 標(biāo)簽:存儲器3D NAND 1.3萬 0

64層第二代3D NAND存儲產(chǎn)品及解決方案

幫助智能手機(jī)制造商通過人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實和面部識別等新一代移動功能來增強(qiáng)用戶體驗.

2018-04-08 標(biāo)簽:存儲器美光3d nand 9538 0

探討半導(dǎo)體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應(yīng)

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原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng),提供原子級控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個話題的看法。 技術(shù)節(jié)點的每次進(jìn)步都要求...

2021-02-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體行業(yè)3d nand 8567 0

基于64層3D NAND技術(shù)的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤

更輕松地向數(shù)據(jù)中心添加閃存,并憑借快速、一致的性能消除存儲瓶頸,降低總體擁有成本。

2018-04-10 標(biāo)簽:美光科技固態(tài)硬盤3D NAND 6554 0

市場對于3D NAND的需求有多大?140層3D NAND層數(shù)還會遠(yuǎn)嗎?

而且在堆疊層數(shù)增加的時候,存儲堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm,層厚度大約70nm,4...

2018-06-03 標(biāo)簽:東芝閃存芯片3D NAND 6042 0

3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)探討

本文為您講述ROM存儲介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展,現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),包括傳統(tǒng)eMMC,三星和蘋果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。

2016-10-12 標(biāo)簽:內(nèi)存3D NAND 3627 1

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進(jìn)存儲器的路線圖

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探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn),以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標(biāo)簽:存儲器EUV3d nand 3067 0

SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲芯片大揭秘

3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲空間,存儲密度可以達(dá)到現(xiàn)有閃存的三倍以上,未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。

2015-06-01 標(biāo)簽:存儲技術(shù)SSD3D NAND 2825 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

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3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間...

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這種存儲技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年,NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度,以...

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技術(shù)節(jié)點的每次進(jìn)步都要求對制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度,比30個硅原子稍大一點。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納...

2020-06-02 標(biāo)簽:制造工藝EUV3d nand 2625 0

深入解析泛林集團(tuán)Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)

沉積技術(shù)是推進(jìn)存儲器件進(jìn)步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn),現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。

2021-02-22 標(biāo)簽:DRAM3d nand存儲器件 2271 0

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納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使...

2023-05-30 標(biāo)簽:晶體管蝕刻工藝3d nand 2264 0

研華提供最新存儲和內(nèi)存全面解決方案!

數(shù)據(jù)安全是研華解決方案的核心。研華SQFlash系列提供全方位保護(hù),包括數(shù)據(jù)加密(TCG-OPAL、FIPS)、數(shù)據(jù)安全擦除和異常斷電保護(hù)。

2022-09-02 標(biāo)簽:閃存技術(shù)3d nand智慧交通 2187 0

存儲芯片將走向何方?存儲芯片的分類

應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn),比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲空間,滿足了業(yè)界日益增長的存儲需求,因而成為主流。

2023-04-10 標(biāo)簽:NAND存儲芯片3d nand 2054 0

關(guān)于半導(dǎo)體價值鏈分析(設(shè)計、制造和后制造)

半導(dǎo)體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽:DRAMNAND半導(dǎo)體制造 2013 0

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

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溝道通孔(Channel Hole)指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面,穿過多層存儲單元的細(xì)長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu),并填充了導(dǎo)電材料,它們在每個...

2024-03-20 標(biāo)簽:刻蝕3d nand 1786 0

3D NAND的主要制作流程

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜,每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同,膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖,只有幾層。但實際有64,128,400層等層數(shù)。

2024-03-19 標(biāo)簽:3d nand芯片制程 1728 0

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