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標簽 > 3D閃存
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鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術,實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司預展第十代3D閃存技術,為性能、能效和位密度設立新標準舊金山,國際固態(tài)電路會議(ISSCC)——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技...
鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存
存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社宣布,該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品。
服務器支撐閃存芯片市場增長,上下游企業(yè)加速布局基礎設施、汽車新興領域
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近年來,由于消費級、工業(yè)級以及汽車等終端市場的需求變動,影響了閃存行業(yè)的供需變化。在技術上,閃存朝著更加先進的工藝迭代...
鎧俠推出162層3D閃存:產(chǎn)能增加70%、性能提升66%
在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃...
Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作開發(fā)第六代162層3D閃存技術
Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)宣布,雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術。這是兩家企業(yè)建立20年合作關系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先...
2021-02-20 標簽:CMOS西部數(shù)據(jù)3d nand 2538 0
隨著3D閃存技術的發(fā)展,容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應用,對于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來越復雜。
這是因為,Xtacking架構將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用Xtacking技術可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...
上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術,QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進,三星等公司也沒閑著,三星...
據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧...
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