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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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高速、高分辨率、大面積成像應用的理想選擇——Falcon4-CLHS工業(yè)相機

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存儲器工藝概覽:常見類型介紹

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2025-02-14 標簽：CMOS DRAM 存儲器 373 0

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提要本期課堂，我們將繼續(xù)深入CMOS邏輯IC的使用注意事項，介紹如何應對電路中的危害、亞穩(wěn)態(tài)、鎖存以及ESD防護等問題。 Q 危害的問題如果是由OR...

2025-02-07 標簽：CMOS ESD 鎖存 1004 0

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2024-12-27 標簽：芯片 CMOS 二極管 2070 0

如何優(yōu)化CMOS邏輯IC的性能

在上期的芝識課堂中，我們介紹了一部分CMOS邏輯IC設計的常見問題以及處理辦法。本期課堂將繼續(xù)探討如何優(yōu)化CMOS邏輯IC的性能，特別是負載電容連接技巧...

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半導體芯片的制造工藝流程

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利用安森美Treo平臺優(yōu)化高速邏輯電平轉換器設計

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2024-12-16 標簽：CMOS 轉換器安森美 553 0

8位單片機HS16P1880產品概述

HS16P1880 是采用低功耗高速 CMOS 工藝制造的 8 位單片機，它內建了 1K*14-bit 的 OTP-ROM、64Byte 的 SRAM...

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2024-12-09 標簽：CMOS 噪聲引腳 887 0

短溝道二維晶體管中的摻雜誘導輔助隧穿效應

短溝道效應嚴重制約了硅基晶體管尺寸的進一步縮小，限制了其在先進節(jié)點集成電路中的應用。開發(fā)新材料和新技術對于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。

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明治的CMOS激光位移傳感器是一種高精度、高靈敏度的位移傳感器，通過結合先進的光學測量原理、高頻率激光脈沖發(fā)射、高靈敏度的光電轉換器件、創(chuàng)新的算法和信號...

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金屬方塊電阻的測試條件

CMOS 工藝平臺的金屬方塊電阻的測試結構包含該平臺的所有金屬層，例如如果該平臺使用五層金屬層，那么金屬方塊電阻的測試結構就有第一層金屬（M1）方塊電阻...

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簡述方塊電阻的測試方法

CMOS 工藝技術平臺的方塊電阻的測試結構是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方塊電阻和金屬方塊電阻，它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術平...

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