各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統設計為可與 應用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統配合使用。Nan...

2023-05-25 標簽：晶圓邏輯器件CVD 8275 0

等離子體刻蝕工藝簡介

鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 標簽：PVDICPCVD 2511 0

刻蝕工藝基礎知識簡析

刻蝕速率是測量刻蝕物質被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產量，因此刻蝕速率是一個重要參數。

2023-02-06 標簽：晶圓SEM電子顯微鏡 6640 0

梯度包覆策略助力高性能全固態鋰電池

開發高穩定性儲能系統是解決未來能源問題的重要方法。傳統鋰離子電池由于其使用易燃有機液體電解質，安全問題嚴峻，而使用固態電解質（SSEs）代替液態有機電解...

2023-01-30 標簽：鋰離子電池開路電壓SCL 863 0

主側墻和N+/P+源漏的形成

首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅的CVD氧化物，簡稱TEOS-ox）和氮化硅的復合層，并對TEOS-ox和氮化硅進行等離子體...

2023-01-12 標簽：MOS管CVD 1349 0

CVD過程中的等離子工藝

CVD過程中，不僅在晶圓表面出現沉積，工藝室的零件和反應室的墻壁上也都會有沉積。

2022-12-27 標簽：HDPCVD 2648 0

磁場中的帶電粒子介紹

低頻功率時，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應時間，所以能把離子加速到具有較高的能量，也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。

2022-12-07 標簽：電容耦合電磁場CVD 3653 0

半導體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產生的自由基，自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩定。自由基在化學上非常活躍，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標簽：等離子體工藝CVD 1297 0

等離子第一個電子是從哪里及如何產生的？

當兩個電極通過射頻高電壓時，它們之間就產生一個交流電場。如果射頻功率足夠高，自由電子受到交流電場的影響被加速，直到獲得足夠的能量和反應室中的原子或分子碰...

2022-11-21 標簽：ICPCVD 3076 0

集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹

為了降低接觸電阻和串聯電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業界先后采用了可規模生產的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。

2022-11-21 標簽：串聯電阻CVD集成電路芯片 9718 0

加熱工藝發展趨勢

RTCVD過程可以用來沉積多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在淺溝槽隔離工藝中使用CVD氧化硅填充溝槽。

2022-11-08 標簽：CVDUSG 1001 0

進行MEMS制造的沉積方法

進行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。

2022-10-11 標簽：memsNEMSPVD 1923 0

硅氧負極的工藝流程 CVD法的核心優勢

從本質上分析硅氧負極循環壽命更好的原理是：硅氧負極技術路線多用氧化亞硅，相較于單質硅顆粒，氧化亞硅（SiOx）在鋰嵌入過程中發生的體積膨脹較小，其循環穩...

2022-09-29 標簽：CVD 1.3萬 0

模擬硅基片上的UHV/CVD及硅生長

化學氣相沉積 (CVD) 能夠生產出兼具高質量、高純度及高強度等優點的材料，因此在半導體行業非常受歡迎。超高真空化學氣相沉積涉及相當復雜的設備和極高的溫...

2018-06-02 標簽：CVD硅基片 5233 0