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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。
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廉價(jià)的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存(以及DDR2和DDR3等后來的版本)為臺式機(jī)和筆記本電腦的工作內(nèi)存提供了支柱。通過在脈沖序列的前沿和后沿上為存儲器提供...
NVIDIA新一代顯卡即將出爐,盡管對于個(gè)中細(xì)節(jié)并不了解細(xì)節(jié),但業(yè)界普遍認(rèn)為無論是NVIDIA還是AMD,新一代顯卡搭載GDDR6顯存可能性極高。什么?...
顯存的發(fā)展歷史,展望下一代GDDR6顯存的一些新特性
QDR(Quad Data Rate):四倍數(shù)據(jù)倍率,在DDR的基礎(chǔ)上,擁有獨(dú)立的寫接口和讀接口,以此達(dá)到4倍速率,例如QDR-SRAM等 。DDR2-...
對于初入硬件的小伙伴來說,在購買內(nèi)存時(shí)常常不知買多大容量的內(nèi)存合適及頻率是否要高頻率呢?今天小雪就用簡單的四句話告訴大家如何選擇正確且合適的內(nèi)存。
利用Virtex-5器件實(shí)現(xiàn)在FPGA內(nèi)實(shí)現(xiàn)QDR SRAM接口設(shè)計(jì)
本應(yīng)用指南所討論的參考設(shè)計(jì)針對的是 4 字突發(fā) QDR II SRAM 器件。QDR II 架構(gòu)的獨(dú)特性能之一是源同步回送時(shí)鐘 (CQ) 輸出,它與器件...
主流存儲器DRAM的技術(shù)優(yōu)勢和行業(yè)應(yīng)用分析
DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng),以及跨多種不同運(yùn)算平臺和應(yīng)用的越來越多的不同要求,包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級...
NVIDIA新一代顯卡即將出爐,盡管對于個(gè)中細(xì)節(jié)并不了解細(xì)節(jié),但業(yè)界普遍認(rèn)為無論是NVIDIA還是AMD,新一代顯卡搭載GDDR6顯存可能性極高。
如何設(shè)計(jì)利用PMBus電源向ASIC、FPGA及DDR電壓軌供電?
通過PMBus電源向ASIC、FPGA?以及DDR電壓軌供電設(shè)計(jì)
關(guān)于DDR內(nèi)存電源的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
電源設(shè)計(jì)小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源
PCB設(shè)計(jì)時(shí)DDR線寬和阻抗是怎樣確定下來的呢?全過程詳細(xì)分析
PCB設(shè)計(jì)時(shí)DDR線寬和阻抗是怎樣確定下來的呢?讓我們通一個(gè)具體的項(xiàng)目來學(xué)習(xí)一下。
關(guān)于Prefetch和Burst相關(guān)的內(nèi)容
可以發(fā)現(xiàn),Column Address的A2,A1,A0三位被用于Burst Order功能,并且A3也被用于Burst Type功能。由于一般情況,我...
DIMM被分為single-rank和double-rank
作為對single-sided和double-sided的補(bǔ)充,DIMM還被分為single-rank和double-rank(也就是我們在內(nèi)存的lab...
這樣一來,信號完整性就會受到不同程度的影響,為了能夠保持等效電阻一致,我們希望ODT的RTT(終結(jié)電阻)是可以動態(tài)修改的,而不需要每次都要通過MRS C...
DDR2與DDR的區(qū)別,DDR3與DDR2的區(qū)別
突發(fā)長度,由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定位8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也...
CFM與CC各有優(yōu)缺點(diǎn),CFM的校正速度快,僅用兩個(gè)時(shí)鐘周期,但容易受到噪音干擾,如果測量失誤,則內(nèi)部的延遲就永遠(yuǎn)錯(cuò)下去。CC的優(yōu)點(diǎn)則是更穩(wěn)定可靠,如果...
存儲單元數(shù)量=行數(shù)*列數(shù)(得到一個(gè)L-Bank的存儲單元數(shù)量)*L-Bank的數(shù)量也可用M*W的方式表示芯片的容量,M是該芯片中存儲單元的總數(shù),單位是兆...
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