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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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了解DDR5相對(duì)DDR4的優(yōu)勢(shì)與可能的影響
初期DDR5可提供超過(guò)DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率,最終預(yù)期可達(dá)2.6倍8.4Gbps。回顧JEDEC SDRAM歷代演進(jìn),提升幅度還算驚人,但到頭來(lái)也只...
開(kāi)關(guān)電源為什么要接假負(fù)載?答案給你總結(jié)好了
C可以理解為三極管的集電極Collector或者電路Circuit,指電源正極。
2022-09-18 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源存儲(chǔ)器DDR 3300 0
凱智通DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具的5大優(yōu)點(diǎn)
凱智通最新發(fā)布DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具適用于DDR?/5測(cè)試的,與之前常用的導(dǎo)電膠,從材質(zhì)還是工作原理都各不相同,我們今天就來(lái)比較一下這兩款的區(qū)別。
SERDES的工作原理及實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)
ISERDESE2 在 SDR 模式下數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的位寬可以為 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8bit,在 DDR 模式時(shí),數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換位寬為 4、 6、...
在你的應(yīng)用程序里內(nèi)存的訪問(wèn)帶寬能夠達(dá)到多少?
所以內(nèi)存的帶寬并沒(méi)有你想象的那么快,在隨機(jī)IO工作模式的情況下,帶寬只有474M而已。現(xiàn)在SSD固態(tài)硬盤(pán)順序IO也差不多能達(dá)到這個(gè)數(shù)量級(jí)了。所以,我們以...
內(nèi)存的工作頻率也從DDR時(shí)代的266MHz進(jìn)化到了今天的3200MHz。這個(gè)頻率在操作系統(tǒng)里叫Speed、在內(nèi)存術(shù)語(yǔ)里叫等效頻率、或干脆直接簡(jiǎn)稱頻率。
2022-08-30 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存Linux系統(tǒng) 1939 0
DRAM進(jìn)入到下一個(gè)發(fā)展階段,其未來(lái)技術(shù)路線如何呢?
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中,按照電源關(guān)斷后數(shù)據(jù)能否被保存可分為ROM(Read Only Memory只讀存儲(chǔ)器,關(guān)閉電源仍可保留數(shù)據(jù))和RAM(Random A...
搭建一個(gè)通用MicroBlaze最小系統(tǒng)+一個(gè)外設(shè)
MicroBlaze是AMD-Xilinx提供的一個(gè)可以在FPGA中運(yùn)行的嵌入式軟核IP,其本質(zhì)是一個(gè)32位RISC處理器軟核。
手機(jī)存儲(chǔ)必須要了解的UFS基礎(chǔ)知識(shí)
在手機(jī)中有三大件組成:CPU、內(nèi)存DDR、存儲(chǔ)設(shè)備(EMMC/UFS等),內(nèi)存用以臨時(shí)存儲(chǔ)程序運(yùn)行時(shí)所需的數(shù)據(jù)(掉電數(shù)據(jù)丟失),而存儲(chǔ)設(shè)備用以長(zhǎng)久保存數(shù)...
加固改進(jìn)增強(qiáng)了內(nèi)存模塊設(shè)計(jì)
盡管對(duì)加固型嵌入式設(shè)備的需求不斷增加,但內(nèi)存模塊供應(yīng)商繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)進(jìn)步和相關(guān)的制造改進(jìn),以滿足 OEM 的需求。
DRAM的類型及其訪問(wèn)方式成為設(shè)計(jì)中心的考慮因素
瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對(duì)此表示同意。“人們普遍承認(rèn)DDR總線在支持多時(shí)隙配置方面的能力將隨著時(shí)間的推移而變得越來(lái)越困難。當(dāng)你以每秒6、7、8...
一站式定制芯片及IP供應(yīng)商燦芯半導(dǎo)體推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層
一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency (零延遲)和True-Adaptive(真自適應(yīng))...
燦芯半導(dǎo)體推出用于高速DDR物理層中的兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)
Zero-Latency (零延遲) 技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上,采用了兩種可選的、獨(dú)特的采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進(jìn)行跨時(shí)...
2022-07-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DDR燦芯半導(dǎo)體 1022 0
通過(guò)從引線鍵合切換到倒裝芯片來(lái)提高DDR性能
有效地向芯片供電需要降低從芯片電源和接地節(jié)點(diǎn)向外看的供電網(wǎng)絡(luò)的輸入阻抗。封裝類型和芯片到封裝基板互連技術(shù)是整個(gè)系統(tǒng)供電網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。
使用OpenCL for FPGA設(shè)計(jì)200萬(wàn)點(diǎn)頻域?yàn)V波器
本文介紹如何使用 Altera OpenCL SDK for FPGA 設(shè)計(jì) 200 萬(wàn)點(diǎn)頻域?yàn)V波器。所有功能驗(yàn)證均使用軟件樣式的仿真完成,并且每個(gè)...
DDR4設(shè)計(jì)過(guò)孔STUB長(zhǎng),DDR信號(hào)“強(qiáng)”?
眾所周知過(guò)孔stub越短越好,為何這次卻不走尋常路,偏偏要加長(zhǎng)
2022-05-11 標(biāo)簽:DDR數(shù)據(jù)信號(hào) 2969 0
泰克示波器在DDR5內(nèi)存測(cè)試中的應(yīng)用
世界正經(jīng)歷生成的數(shù)據(jù)量呈爆發(fā)增長(zhǎng)之勢(shì),隨著新技術(shù)在更廣泛的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn),這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將進(jìn)一步加快。典型的實(shí)例包括:5G形式的下一代無(wú)線通信,領(lǐng)域不斷擴(kuò)展的...
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