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DDR5是一種計算機內存規格。與DDR4內存相比,DDR5標準性能更強,功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的Bank Group數量以改善性能等。
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是德科技推出 InfiniiMax 4 系列高帶寬示波器探頭,將高頻探頭產品的帶寬擴展到 52 GHz。
-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 官方發布? ? 2022年12月21日...
海盜船涉足工作站DDR5內存市場,發布 WS DDR5 ECC RDIMM系列新品
該系列內存為套裝形式,提供每份4或8根選擇,適配英特爾至強W-3400/2400系列以及AMD銳龍Threadripper 7000 (PRO)系列處理...
全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片交付 將率先搭載于小米10智能手機
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已交付全球首款量產的低功耗 DDR5 DRAM 芯...
公司保持著在內存接口芯片領域的相對領先態勢。公司牽頭制定DDR5RCD及MDB芯片的國際標準,研發持續領先。
新款32Gb顆粒不僅支持消費級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量,更能讓企業級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下,實現單模組128GB,...
近日,順絡電子近期推出了全新的低損耗電感系列產品。這一創新方案由WT系列與WCX系列組合而成,旨在為用戶提供高性能、高可靠性以及更低成本的電感解決方案,...
芯耀輝DDR5/4榮膺硬核中國芯“2023年度最佳IP產品獎”
2023年10月30日,第五屆硬核芯生態大會暨2023汽車芯片技術創新與應用論壇圓滿落幕。
三星HBM3E批量出貨在即,DDR5市場或迎供應緊張與價格上漲
在半導體存儲領域,三星電子的每一次技術突破與產能調整都牽動著市場的神經。近期,業內傳出消息,三星電子的HBM3E(High Bandwidth Memo...
南亞科存儲芯片營收連續虧損,第四季度DRAM平均售價環比增長
2024年,南亞科預披露將啟動資本開銷約200億元,有待董事會批準。同時進一步釋放消息,計劃2024年使用10nm第二代制程技術(1B)來生產8Gb D...
美光科技發布1β制程節點技術的16Gb DDR5存儲器,領先業界
美光科技指出,為應對資料中心工作負載所需,CPU 內核數持續增加,為突破「存儲器墻」(Memory Wall)瓶頸,同時為客戶提供最佳化的總擁有成本...
分析指出,運營狀況的改善得益于服務器行業去庫存的階段性進展,以及DDR5內存接口芯片(尤其是第二代產品)和配套芯片的出貨量攀升。同時,瀾起科技的前沿新品...
集邦咨詢:明年HBM TSV產能預計250K/m,占DRAM總產能14%
集邦咨詢的報告進一步強調,HBM和DDR5之間的區別主要在于Die Size上。在同等制程及容量(如24GB)下,HBM Die尺寸大于DDR5的基礎版...
在近期舉辦的行業盛會Memcon 2024上,三星公司透露了其宏偉的量產計劃,預計在今年年底前,他們將成功實現1c nm制程的批量生產。
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