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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
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美光近期發布的內存和存儲產品組合創新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業界前沿性能,功耗...
SK海力士:HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率
據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
5月23日,美國得克薩斯州東區地方法院裁判小組判定美光生產的DRAM芯片侵犯了Netlist關于優化檔案調用性能的兩項專利,并認定美光有意侵權。
在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發展...
在DRAM和NAND芯片的生產上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲,這一上漲主要歸...
根據行業預估,三星和SK海力士有望在今年擴展產量以應對逐步好轉的半導體市場環境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產量可能會受到制約。
據悉,四月份8GB DDR4 DRAM的合同價格較上月增長了17%,但128GB(16G x 8)MLC通用閃存在便攜式存儲設備如閃存盤中的價格維持不變。
據市調機構TrendForce估算,市場對HBM需求呈現高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產能投片
三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄
全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
SK海力士、三星電子:HBM內存供應充足,明年HBM4將量產
這類內存的售價遠高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工藝的良率問題,對晶圓的消費量更是達到普通內存的 2-3 倍。因此,內存廠商需提高 HBM 產量...
SK海力士HBM4E內存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產
值得注意的是,目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm(第六代10+nm級)制程DRAM內存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預計今年內實現1c...
美光LPDDR5內存為汽車高級駕駛輔助系統(ADAS)提供解決方案
長期以來,汽車功能安全主要由一級供應商和汽車主機廠商(OEM) 負責。如今,隨著車輛系統復雜性的提升和車內電子元件的不斷增加,功能安全正逐漸成為半導體廠...
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 H...
華邦自DDR2時期就深入物聯網、汽車、工業、電信等高附加值領域,而隨著制程升級至DDR3階段,該公司開始加大對DDR3產能建設的投資力度。高雄工廠今年引...
盡管韓國在邏輯芯片市場的地位有所下滑,但得益于AI芯片需求的激增,DRAM市場如高帶寬存儲器(HBM)等產品需求旺盛,韓國DRAM產能將從2022年的5...
據此,現有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內存的開發和優化,而今年三月份新設立的HBM產能與質量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
兆易創新近日在業績說明會上展望了公司未來的發展藍圖。公司高管表示,面對2024年營收目標73億元的挑戰,兆易創新將保持戰略定力,致力于擴大市場占有率和提...
具體而言,現有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發,而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發下一代HBM內存——HBM4。
電子發燒友網報道(文/周凱揚)作為存儲行業當下的新寵,HBM在AI的推動下,已經陷入了前所未有的市場狂熱。最大的噱頭自然是產能之爭,比如SK海力士表示明...
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