據韓國媒體 Hankyung 近日報道，全球存儲龍頭企業 SK 海力士與三星電子在近期舉辦的投資者活動上透露，現有的 DRAM 產能中已有兩成為 HBM 內存所用。

這類內存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內存的 2-3 倍。因此，內存廠商需提高 HBM 產量以應對日益增長的市場需求。

在此背景下，三星電子代表預測，無論是 HBM 還是主流 DRAM（如標準 DDR5），年內價格都不會有明顯下滑。SK 海力士也重申，按照現有產能規劃，到今年年底，他們已為 2025 年的 HBM 內存產能做好了充分準備。

三星電子方面表示，其 HBM 訂單狀況與競爭對手相似，目前已全部售出，且預計明年不會出現 HBM 內存供應過剩的現象。同時，該公司還宣布將于明年完成 HBM4 內存的研發工作，并于 2026 年實現量產，并計劃在其中引入混合鍵合技術。

然而，SK 海力士對此持有不同看法，他們認為在 HBM4 內存中采用混合鍵合的可能性較小。此外，兩家公司均對企業級固態硬盤市場保持樂觀態度，三星電子代表認為這一領域的需求增長將是長期趨勢。