隨著生成式AI技術的迅猛發展和大模型參數量的急劇增加，對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切，這直接推動了高帶寬內存（HBM）市場的快速增長，并對HBM的性能提出了更為嚴苛的要求。近日，韓國SK集團董事長崔泰源透露，英偉達公司首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出請求，希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內存芯片——HBM4。

HBM4作為內存技術的最新成果，相較于前代HBM3，在多個方面實現了顯著的技術突破。首先，在內存密度方面，HBM4大幅提升，支持更大的存儲容量，單個堆棧的容量即可達到32GB甚至更高，從而滿足了高性能計算和AI應用對于大容量存儲的迫切需求。

其次，在數據傳輸方面，HBM4同樣表現出色。其數據傳輸速率高達6.4 GT/s，接口寬度也從1024位升級至2048位，這一升級顯著增強了并發數據傳輸的能力，有效降低了數據傳輸延遲，特別是在多處理器或多GPU系統中，其優勢更為明顯。

此外，HBM4還具備低功耗特性，這對于需要長時間運行的高性能計算和AI應用而言，無疑是一個巨大的福音。低功耗不僅有助于降低系統的整體能耗，還能提升系統的穩定性和可靠性。

據悉，英偉達已與SK海力士簽訂了優先供應協議，雙方將共同致力于高性能內存技術，特別是HBM技術的發展與應用。此前，英偉達、SK海力士以及臺積電已宣布深化三方合作，共同推動HBM4技術的研發與量產。預計HBM4將于2026年開始量產，屆時將為下一代計算和數據中心應用帶來全新的可能性。

英偉達還計劃在2026年推出名為“Rubin”的下一代數據中心GPU架構，該架構將集成HBM4芯片，以滿足日益增長的高帶寬需求。隨著AI相關需求的不斷增加，HBM4預計將在AI服務器、數據中心、汽車駕駛等高性能計算領域得到廣泛應用。特別是在AI訓練與推理模型中，高階深度學習AI GPU規格的提升將推動對HBM產品的需求和技術更迭。

在強勁的AI技術需求驅動下，英偉達希望通過HBM4來確保其產品能夠支持這些快速增長的高帶寬需求，從而保持其在高性能計算和AI應用領域的領先地位。