三星已成功開發(fā)16層3D DRAM芯片
在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時(shí)，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
然而，Siwoo Lee強(qiáng)調(diào)，盡管取得了這一顯著成就，但三星目前并未計(jì)劃立即進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。相反，公司正專注于研究3D DRAM或垂直堆疊單元陣列晶體管（VS-CAT）技術(shù)的可行性和潛在應(yīng)用。他強(qiáng)調(diào)，這項(xiàng)技術(shù)可能在未來對DRAM市場的格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
Siwoo Lee去年加入三星，此前他在美光負(fù)責(zé)未來存儲芯片的研發(fā)。他豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和深厚的技術(shù)背景為三星在DRAM領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略布局提供了有力支持。隨著3D DRAM技術(shù)的不斷發(fā)展，我們有理由期待三星將在這一領(lǐng)域取得更多突破。
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