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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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finfet資訊

FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的

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本文介紹了FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的。 在FinFET制造工藝中,當(dāng)完成偽柵極結(jié)構(gòu)后,接下來(lái)的關(guān)鍵步驟是形成源漏極(So...

2025-01-17 標(biāo)簽:漏極FinFETProcess 133 0

FinFet Process Flow—啞柵極的形成

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本文主要介紹FinFet Process Flow—啞柵極的形成。 ? 鰭片(Fin)的形成及其重要性 鰭片是FinFET器件三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵組成部分,它...

2025-01-14 標(biāo)簽:柵極FinFET 99 0

智原科技宣布加入Arm?(安謀)車(chē)用生態(tài)系的合作伙伴

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2024-04-18 標(biāo)簽:晶圓ARM處理器ASIC芯片 669 0

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全新 FPGA 能為嵌入式視覺(jué)、醫(yī)療、工業(yè)互聯(lián)、機(jī)器人與視頻應(yīng)用提供高數(shù)量 I/O、功率效率以及卓越的安全功能

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來(lái)源:IEEE Spectrum 編譯:化合物半導(dǎo)體雜志 近日,在一場(chǎng)于圣何塞僅限受邀者參加的活動(dòng)舉行之前的一次獨(dú)家采訪中,英特爾通過(guò)分享其未來(lái)數(shù)據(jù)中心...

2024-02-25 標(biāo)簽:芯片英特爾3D芯片 775 0

英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)再升級(jí),新路線圖出爐

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對(duì)于該公司來(lái)說(shuō),這是一個(gè)令人興奮的時(shí)刻,但也是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻。英特爾已經(jīng)到了需要兌現(xiàn)這些承諾的地步——而且他們需要以一種非常明顯的方式做到這一點(diǎn)。

2024-02-23 標(biāo)簽:處理器英特爾cpu 633 0

碳化硅SIC將會(huì)發(fā)力電動(dòng)汽車(chē)?

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碳化硅在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)(尤其是電動(dòng)汽車(chē))中越來(lái)越受歡迎,但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)仍然過(guò)于昂貴。

2024-01-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率半導(dǎo)體FinFET 3756 0

中科院清華北大西電教授聯(lián)合發(fā)文:中國(guó)芯片面臨的重大問(wèn)題

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1 引言 集成電路技術(shù)的重要性源于其對(duì)于現(xiàn)代社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)性作用和國(guó)家安全的重要保障. 它不僅在能源安全與碳中和方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用, 同時(shí)也是智能機(jī)...

2024-02-22 標(biāo)簽:芯片晶體管FinFET 837 0

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2024-01-23 標(biāo)簽:臺(tái)積電FinFET先進(jìn)制程 4950 0

智原推出14納米ASIC整合設(shè)計(jì)服務(wù)邁向人工智能新時(shí)代

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2023-12-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器EDA工具ASIC設(shè)計(jì) 747 0

2nm意味著什么?2nm何時(shí)到來(lái)?它與3nm有何不同?

3nm工藝剛量產(chǎn),業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了,并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn),同樣也考驗(yàn)著EDA公司,以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)...

2023-12-06 標(biāo)簽:智能手機(jī)EDA工具晶體管 3279 0

新思科技攜手合作伙伴面向臺(tái)積公司N4PRF工藝推出全新射頻方案

全新參考流程針對(duì)臺(tái)積公司 N4PRF 工藝打造,提供開(kāi)放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案。

2023-11-27 標(biāo)簽:RFIC新思科技FinFET 792 0

關(guān)于2nm先進(jìn)制程芯片的白熱化競(jìng)爭(zhēng)

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三星表示,與 FinFET 相比,MBCFET 提供了卓越的設(shè)計(jì)靈活性。晶體管被設(shè)計(jì)成有不同量的電流流過(guò)它們。在使用許多晶體管的半導(dǎo)體中,必須調(diào)節(jié)電流量...

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2023-12-07 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 802 0

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當(dāng)Nvidia、Qualcomm和Mobileye在下一代汽車(chē)E/E平臺(tái)中顯示出主導(dǎo)之勢(shì)時(shí),其他汽車(chē)芯片公司必須選擇一個(gè)他們認(rèn)為可以獲勝的領(lǐng)域,并守住自己的份額

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要價(jià)25萬(wàn)“天價(jià)芯片”進(jìn)入黑市,英偉達(dá)再為中國(guó)推“改良”芯片,皆非良策!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)今年10月17日,美政府更新了針對(duì)人工智能(AI)芯片的出口管制規(guī)定,包括限制向中國(guó)出口更先進(jìn)的人工智能芯片和半導(dǎo)體設(shè)備。...

2023-11-11 標(biāo)簽:FinFET英偉達(dá)chiplet 3086 0

臺(tái)積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片

? ? ? ?在臺(tái)積電的法人說(shuō)明會(huì)上據(jù)臺(tái)積電總裁魏哲家透露臺(tái)積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前,臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝; 臺(tái)灣新竹寶山、高雄...

2023-10-20 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶體管FinFET 1437 0

是德科技和Ansys攜手為4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

新參考流程采用臺(tái)積電 N4PRF 制程,提供了開(kāi)放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案

2023-10-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器壓控振蕩器射頻集成電路 798 0

芯原再次榮獲2023年“中國(guó)芯”優(yōu)秀支撐服務(wù)產(chǎn)品獎(jiǎng)

9月20日,2023琴珠澳集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)峰會(huì)暨第十八屆“中國(guó)芯”頒獎(jiǎng)儀式在珠海隆重舉行。

2023-09-25 標(biāo)簽:處理器CMOS半導(dǎo)體 1915 0

2nm芯片設(shè)計(jì)成本曝光

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2023-09-01 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)晶體管 1039 0

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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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